[发明专利]一种阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 201911158931.3 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN112838059A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 季雨;钱国平;冯磊;曾玲玲;周超;黄先纯;沈忱;陈皖青 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/66;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 刘源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成多个像素电极、多条数据线、多条公共电压线和连接部的图案,其中,每一所述公共电压线与相邻的各所述像素电极通过所述连接部电连接;
对各所述数据线加载测试信号后,接收并比较经各所述数据线传输后的所述测试信号,在判定至少一条所述数据线传输后的所述测试信号与其他所述数据线传输后的所述测试信号不同时,确定该至少一条所述数据线与所述像素电极之间存在短路残留物,且在确定存在所述短路残留物时,去除所述短路残留物;其中,该至少一条所述数据线的数量小于其他所述数据线的数量;
对所述连接部进行刻蚀,使各所述公共电压线与各所述像素电极之间相互绝缘。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成多个像素电极的图案的同时,还包括:
形成连接每一所述公共电压线与相邻的所述像素电极的所述连接部。
3.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,各所述数据线和各所述公共电压线的图案在同一膜层形成;
在所述衬底基板上形成多条数据线和多条公共电压线的图案的同时,还包括:
形成连接每一所述公共电压线与相邻的所述像素电极的所述连接部。
4.如权利要求2或3所述的制作方法,其特征在于,每一所述像素电极分别通过至少一个对应的所述连接部与相邻的所述公共电压线电连接;或者,每列所述像素电极分别通过一个对应的所述连接部与相邻的所述公共电压线电连接。
5.如权利要求2或3所述的制作方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成多个像素电极、多条数据线和多条公共电压线的图案,具体包括:
在所述衬底基板上形成阵列排布的所述像素电极;
在各所述像素电极的列间隙处交替形成所述数据线和所述公共电压线。
6.如权利要求2或3所述的制作方法,其特征在于,在所述衬底基板上形成多个像素电极、多条数据线和多条公共电压线的图案,具体包括:
在所述衬底基板上形成交替设置的所述数据线与所述公共电极线;
在所述数据线与所述公共电极线之间的区域形成阵列排布的所述像素电极。
7.如权利要求2或3所述的制作方法,其特征在于,在去除所述短路残留物之后,且在对所述连接部进行刻蚀之前,还包括:
形成在与所述连接部对应的区域具有过孔的绝缘层;
在所述绝缘层上形成公共电极层。
8.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,对所述连接部进行刻蚀,具体包括:
采用一次刻蚀工艺,对所述连接部和所述过孔对应的所述公共电极层进行刻蚀处理。
9.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,在所述绝缘层上形成公共电极层之后,且在对所述连接部进行刻蚀之前,还包括:
对所述过孔对应的所述公共电极层进行刻蚀处理。
10.如权利要求1-3任一项所述的制作方法,其特征在于,在对所述连接部进行刻蚀之后,还包括:
在所述衬底基板上依次形成绝缘层和公共电极层。
11.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板采用如权利要求1-10任一项所述的制作方法制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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