[发明专利]多层堆栈补隙发光半导体结构及其制作方法

说明书

本发明公开一种多层堆栈补隙发光半导体结构及其制作方法，所述多层堆栈补隙发光半导体结构主要包括一第一基板、复数个第一电极、一补隙层、复数个第一发光单元以及复数个第二发光单元。其中，所述复数个第一发光单元及所述复数个第二发光单元彼此间交错排列，达到补隙的功效。

技术领域

本发明提供了一种多层堆栈补隙发光半导体结构及其制作方法，尤指一种复数个第一发光单元及复数个第二发光单元彼此间交错排列，达到补隙的功效的多层堆栈补隙发光半导体结构。

背景技术

在现有的面板显示技术中，应用在许多大型广告面板等地方的发光二极管(Light-emitting diode,LED)面板已经行之有年。在这种需求扩张的前提下，自然会相应产生许多制造以及应用的方式。

此外，对于普通面板的应用来说，迷你发光二极管(Mini light-emitting diode,Mini LED)或微发光二极管(Micro light-emitting diode,Micro LED)的应用与需求也随着可挠穿戴装置或行动装置面板的兴起而逐渐浮出台面。

值得一提的是，无论上述何种发光二极管(Light-emitting diode,LED)结构，都会面临到每个发光二极管晶粒排列间具有空隙(Gap)的问题。在分辨率尚未能达到肉眼难以辨识的程度之前，这些空隙(Gap)极有可能对观看者带来视觉效果不佳的负面影响。因此，以当前的技术来说，就属该点需要极力改善。

发明内容

为解决先前技术中所提到的问题，本发明提供了一种多层堆栈补隙发光半导体结构及其制作方法。其中，所述多层堆栈补隙发光半导体结构主要包括一第一基板、复数个第一电极、一补隙层、复数个第一发光单元以及复数个第二发光单元。

所述复数个第一电极彼此间以一间隔排列设置于所述第一基板上，所述补隙层设置于所述间隔上。至于所述复数个第一发光单元包括一第三电极，且所述复数个第一发光单元依序设置于所述复数个第一电极上。所述复数个第二发光单元更包括一第四电极，且所述复数个第二发光单元依序设置于每个所述补隙层上。此外，所述复数个第一发光单元及所述复数个第二发光单元彼此间交错排列。

至于所述多层堆栈补隙发光半导体结构的制作方法主要包括下列步骤。首先，执行步骤(a)提供一第一基板，接着执行步骤(b)，于所述第一基板上形成一电极层。再执行步骤(c)，以一离间手段透过复数个间隔将所述电极层破片，形成复数个第一电极。

接着执行步骤(d)，于每个所述复数个第一电极上形成复数个第一发光单元，接着于所述间隔的区域形成一补隙层，最后执行步骤(e)，于所述补隙层上形成一第二发光单元。

以上对本发明的简述，目的在于对本发明的数种面向和技术特征作一基本说明。发明简述并非对本发明的详细表述，因此其目的不在特别列举本发明的关键性或重要组件，也不是用来界定本发明的范围，仅为以简明的方式呈现本发明的数种概念而已。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明多层堆栈补隙发光半导体结构其一实施例的结构示意图。

图2为本发明多层堆栈补隙发光半导体结构另一实施例的结构示意图。

图3为本发明多层堆栈补隙发光半导体结构制作方法的流程图。

附图标号说明：

10 多层堆栈补隙发光半导体结构

100 第一基板

101 第一电极