[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 201911139467.3 | 申请日: | 2019-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN110838509A | 公开(公告)日: | 2020-02-25 |
| 发明(设计)人: | 盖人荣;刘利宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,所述阵列基板具有显示区及位于所述显示区周边的非显示区,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底基板;
公共接地信号线,形成在所述衬底基板上并位于所述非显示区;
多个有机发光二极管,形成在所述衬底基板上并位于所述显示区,所述有机发光二极管的阴极与所述公共接地信号线电连接;
封装层,形成在所述衬底基板上并覆盖所述有机发光二极管;
金属反射层,形成在所述封装层上并位于所述显示区,所述金属反射层具有多个透光孔,每一所述透光孔对应一所述有机发光二极管;所述透光孔在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有机发光二极管的有机发光层在所述衬底基板上的正投影;
其中,所述金属反射层与所述公共接地信号线电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述透光孔在所述衬底基板上的正投影与所述有机发光层在所述衬底基板上的正投影完全重合。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底基板包括位于所述显示区的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的源漏电极与所述有机发光二极管的阳极电连接;
其中,所述公共接地信号线与所述薄膜晶体管的源漏电极同层设置。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述非显示区包括集成电路绑定区,所述金属反射层与所述公共接地信号线在所述集成电路绑定区处电连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共接地信号线与所述有机发光二极管的阳极同层设置。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属反射层采用铝、银、铝合金或银合金制作而成。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括依次形成在所述金属反射层上的第一光学胶层、触控电极层、第二光学胶层及覆盖膜。
8.一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板具有显示区及位于所述显示区周边的非显示区,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板位于所述非显示区的部位上形成公共接地信号线;
在所述衬底基板位于所述显示区的部位上形成多个有机发光二极管,所述有机发光二极管的阴极与所述公共接地信号线电连接;
在所述衬底基板上形成覆盖所述有机发光二极管的封装层;
在所述封装层位于所述显示区的部位上形成金属反射层,所述金属反射层具有多个透光孔,每一所述透光孔对应一所述有机发光二极管;所述透光孔在所述衬底基板上的正投影覆盖所述有机发光二极管的有机发光层在所述衬底基板上的正投影;
其中,所述金属反射层与所述公共接地信号线电连接。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,在所述封装层位于所述显示区的部位上形成金属反射层,包括:
在所述封装层位于所述显示区的部位上形成金属反射薄膜;
采用湿法刻蚀工艺对所述金属反射薄膜进行图案化处理,以形成金属反射层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至7中任一项所述的阵列基板及与所述阵列基板电连接的集成电路板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





