[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201911133333.0 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110718563B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 张陶然;周炟;廖文骏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
一种显示基板,包括:显示区域、弯折区域以及位于显示区域和弯折区域之间的第一过渡区域;显示区域设置有信号线层,弯折区域设置有第一引线层,第一过渡区域设置有第一连接层,且第一连接层上设置有由至少一个无机绝缘层形成的第一台阶;信号线层通过开设在第一台阶的第一过孔与第一连接层电连接,第一引线层与第一连接层电连接。本申请还提供一种显示基板的制备方法及显示装置。
技术领域
本文涉及显示技术领域,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前,用户和市场对智能手机等显示产品的占屏比要求越来越高,全屏无边框或窄边框的显示产品已经成为主流发展方向。为了缩减屏幕边框宽度,通常会将部分边框弯折到屏幕的背面,如将用于设置驱动芯片和绑定电路的边框区域弯折到屏幕的背面,用于设置驱动芯片和绑定电路的边框区域与不进行弯折的其他边框区域之间可以设置弯折区域(即,Pad Bending区域)。在传统方式中,通过对弯折区域进行无机膜挖槽,以减少弯折区域的无机膜层的厚度,从而实现180度弯折。然而,对弯折区域进行无机膜挖槽,会在无机膜层形成台阶,造成台阶处的信号走线出现较大落差,导致在信号走线的干法刻蚀(DryEtch)工艺中出现导电材料残留(Remain)而引起短路,进而造成显示面板产生暗线或亮线(X-Line)不良,影响产品良率。
发明内容
本申请提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,可以改善弯折区域的无机膜层台阶处的导电材料残留问题。
一方面,本申请提供了一种显示基板,包括:显示区域、弯折区域以及位于显示区域和弯折区域之间的第一过渡区域;所述显示区域设置有信号线层,所述弯折区域设置有第一引线层,所述第一过渡区域设置有第一连接层,且所述第一连接层上设置有由至少一个无机绝缘层形成的第一台阶;所述信号线层通过开设在所述第一台阶的第一过孔与所述第一连接层电连接,所述第一引线层与所述第一连接层电连接。
另一方面,本申请提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
另一反面,本申请提供了一种显示基板的制备方法,所述显示基板包括显示区域、弯折区域以及位于显示区域和弯折区域之间的第一过渡区域;所述制备方法包括:在第一过渡区域形成第一连接层,在第一连接层上形成第一台阶,所述第一台阶由至少一个无机绝缘层形成;在显示区域形成信号线层,在弯折区域形成第一引线层,其中,所述信号线层通过开设在所述第一台阶的第一过孔与所述第一连接层电连接,所述第一引线层与所述第一连接层电连接。
本申请通过设置第一连接层,实现显示区域的信号线层和弯折区域的第一引线层之间的电连接,避免在第一台阶上设置走线,从而改善刻蚀工艺中在台阶处的导电材料残留问题,实现信号正常传输,提高产品良率,并保证显示效果。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案,并不构成对本申请技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例,目的只是示意说明本发明内容。
图1为相关技术中显示基板的结构示意图;
图2为图1中R-R方向的局部剖视图;
图3为本申请第一实施例的显示基板的结构示意图;
图4为图3中的I-I方向的局部剖视图;
图5为本申请第一实施例形成阻挡层后的示意图;
图6为本申请第一实施例形成第三绝缘层图案后的示意图;
图7为本申请第一实施例形成第一台阶和第三台阶后的示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的