[发明专利]一种发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包含：

外延发光层，外延发光层包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层，与第一半导体层连接有第一电极，与第二半导体层连接有第二电极，

其特征在于，第一电极和/或第二电极依次包括第一反射层、接垫层和至少部分包覆接垫层的第二反射层，第一反射层为铂，第二反射层包括莫氏硬度不小于6的材料，第一反射层上包覆有应力调整层，应力调整层材料为钌，应力调整层的成膜应力方向与第一反射层相反，应力调整层的莫氏硬度不小于6，应力调整层为第一反射层厚度的65%至75%。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一电极和/或第二电极的截面为梯形，梯形侧壁与水平面的夹角为60°至75°，或者为75°至80°，或者80°以上。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，发光二极管的芯片尺寸不大于250微米*250微米。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，发光二极管具有从2微米到100微米或从100微米到250微米的长度。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，发光二极管具有从2微米到100微米或从100微米到250微米的宽度。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第二反射层远离接垫层的一侧至少覆盖有绝缘保护层。

7.根据权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于，绝缘保护层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氧化铌或者氮化钛。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，接垫层的材料包括金。

9.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，在外延发光层与第一反射层之间具有接触层，第一反射层至少部分包覆接触层。

10.根据权利要求9所述的一种发光二极管，其特征在于，接触层的材料包括铬或者铬与过渡金属的合金。

11.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，应力调整层的杨氏模量不小于150Gpa且体积模量不小于200Gpa。

12.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一反射层和/或应力调整层的电阻率小于130nΩm。

13.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一反射层与第二反射层的最小间距为200埃至250埃，或者为不小于250埃。

14.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一反射层与第二反射层均与外延发光层表面接触，在外延发光层上的间距为200埃至250埃，或者为不小于250埃。

15.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一反射层的厚度为不小于500埃。

16.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第二反射层的厚度为不小于200埃。

17.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一反射层和/或第二反射层在400纳米至700纳米波段的反射率不小于45%。

18.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，发光二极管为正装发光二极管、倒装发光二极管或者垂直发光二极管。

19.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第二反射层的材料包括钌或者铑。

20.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，第一反射层和/或第二反射层包括的材料具有不小于150Gpa的杨氏模量和不小于200Gpa的体积模量。