[发明专利]封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911118181.7 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110767647A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 危建;代克;颜佳佳 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/64;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电气连接层 封装结构 最顶层 电连接 封装 芯片 导电柱 第一层 集成度 金属柱 散热 布线 制造 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
第一电气连接层，所述封装结构的外引脚位于所述第一电气连接层的下表面；
芯片，位于所述第一电气连接层的上表面上，所述第一电气连接层上表面与下表面相对；
至少一层第二电气连接层，位于所述芯片之上，所述第一电气连接层和第一层所述第二电气连接层之间通过导电柱实现电连接；
第一类电子元件，位于最顶层的所述第二电气连接层的上方，所述第一类电子元件通过至少一层所述第二电气连接层与所述第一电气连接层实现电连接，
其中，至少在最顶层的所述第二电气连接层与所述第一类电子元件之间设置有第二类电子元件。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括金属柱，所述金属柱至少位于任意一相邻的两层所述第二电气连接层之间或位于第一类电子元件与最顶层的所述第二电气连接层之间，以增加所述封装结构的散热。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱作为所述第一类电子元件的引脚电极，以降低所述第一类电子元件电气路径上的直流阻抗。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱位于所述第一类电子元件的散热通路上，以降低所述第一类电子元件至所述封装结构外引脚的热阻。
5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱是实心的。
6.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱的高度不小于所述第二类电子元件的高度。
7.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱的高度不小于0.3mm。
8.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱焊接在所述第一类电子元件与最顶层的所述第二电气连接层之间，所述金属柱与所述第一类电子元件的焊盘接触，以作为所述第一类电子元件的引脚电极。
9.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导电柱为通过电镀形成的实心导电凸块，所述导电柱的高度小于所述金属柱的高度。
10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第一封装体，用于囊封所述第一电气连接层，所述芯片以及所述导电柱。
11.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第二封装体，用于囊封至少一层所述第二电气连接层，所述金属柱，以及所述第二类电子元件。
12.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二类电子元件为电容或电阻。
13.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一电气连接层和至少一层所述第二电气连接层通过RDL工艺电镀形成。
14.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述金属柱为铜柱。
15.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片的背面通过黏结胶固定在所述第一电气连接层，所述芯片的焊盘朝向第一层所述第二电气连接层。
16.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构配置为模块电源的封装结构，所述第一类电子元件为电感元件。
17.根据权利要求16所述的封装结构，其特征在于，所述芯片有源面的焊盘朝向所述第一电气连接层，使得所述芯片的焊盘凸块远离所述电感元件，以减小产生额外的寄生电感。
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