[发明专利]碳化硅缓冲层电阻率的测试方法

权利要求书

1.一种碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，其特征在于，包括：

在碳化硅衬底上的预设位置测量所述碳化硅衬底的厚度，获得第一厚度；

在与所述预设位置一致的位置分别测量碳化硅片的厚度以及碳化硅片的电阻，获得第二厚度以及方块电阻，所述碳化硅片为在所述碳化硅衬底上生长缓冲层获得的样品；

根据所述碳化硅衬底的厚度、所述碳化硅片的厚度以及所述方块电阻，计算获得所述缓冲层的电阻率。

2.如权利要求1所述的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，其特征在于，所述碳化硅衬底为半绝缘衬底或者轻掺杂衬底。

3.如权利要求2所述的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，其特征在于，

所述半绝缘衬底的电阻率为大于10⁵Ω.cm；

所述轻掺杂衬底的掺杂浓度为小于5E13cm^-3。

4.如权利要求1或2所述的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，其特征在于，在所述在与所述预设位置一致的位置分别测量碳化硅片的厚度以及碳化硅片方块电阻之前，还包括：

采用化学气相沉积的方法，在所述碳化硅衬底上生长缓冲层，获得碳化硅片。

5.如权利要求1或2所述的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，其特征在于，在所述在与所述预设位置一致的位置分别测量碳化硅片的厚度以及碳化硅片方块电阻之前，还包括：

在所述碳化硅衬底上生长电阻率小于0.034Ω.cm的缓冲层，获得碳化硅片。

6.如权利要求1所述的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，其特征在于，所述在碳化硅衬底上的预设位置测量所述碳化硅衬底的厚度，获得第一厚度，包括：

利用平整度测试仪采用光干涉法在选取的碳化硅衬底表面的预设位置测量所述碳化硅衬底的厚度，获得第一厚度；

所述在与所述预设位置一致的位置测量碳化硅片的厚度，获得第二厚度，包括：

利用平整度测试仪采用光干涉法在在与所述预设位置一致的位置测量碳化硅片的厚度，获得第二厚度。

7.如权利要求1所述的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，其特征在于，所述在与所述预设位置一致的位置测量碳化硅片的电阻，包括：

采用无接触式四探针电阻率测试仪在与所述预设位置一致的位置测量碳化硅片的电阻。

8.如权利要求1所述的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，其特征在于，所述根据所述碳化硅衬底的厚度、所述碳化硅片的厚度以及所述方块电阻，计算获得所述缓冲层的电阻率，包括：

根据ρ＝R*(H₁-H₂)计算获得所述缓冲层的电阻率；

其中，ρ表示所述缓冲层的电阻率，R表示所述方块电阻，H₁表示所述碳化硅衬底的厚度，H₂表示所述碳化硅片的厚度。

9.如权利要求1所述的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，其特征在于，所述根据所述碳化硅衬底的厚度、所述碳化硅片的厚度以及所述方块电阻，计算获得所述缓冲层的电阻率，包括：

根据所述碳化硅衬底的厚度以及所述碳化硅片的厚度，计算所述缓冲层的厚度；

根据所述缓冲层的厚度以及所述方块电阻，计算获得所述缓冲层的电阻率。

10.如权利要求9所述的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，其特征在于，所述根据所述缓冲层的厚度以及所述方块电阻，计算获得所述缓冲层的电阻率，包括：

根据ρ＝R*H计算获得所述缓冲层的电阻率；

其中，H表示所述缓冲层的厚度。