[发明专利]一种图形传递方法在审

专利信息
申请号: 201911120598.7 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN110797257A 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 杨渝书;伍强;李艳丽 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L21/033 分类号: H01L21/033
代理公司: 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 曹廷廷
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种图形传递方法,包括以下步骤:提供一半导体衬底,在所述半导体衬底上依次形成硬掩模层和图形化极紫外光刻胶层;以所述图形化极紫外光刻胶层为掩模,刻蚀所述硬掩模层,并将图形化极紫外光刻胶层中的图形传递至所述硬掩模层中,以形成图形化硬掩模层,所述图形化硬掩模层具有开口;在所述开口中形成填充层;以及去除所述硬掩模层,以暴露出所述半导体衬底,所述半导体衬底上保留所述开口中的填充层,以实现图形化极紫外光刻胶层中的低密度图形的负向传递。
搜索关键词: 极紫外光刻 硬掩模层 图形化 衬底 胶层 半导体 图形化硬掩模层 开口 图形传递 填充层 密度图形 负向 刻蚀 掩模 去除 传递 暴露 保留
【主权项】:
1.一种图形传递方法,其特征在于,包括以下步骤:/n提供一半导体衬底,在所述半导体衬底上依次形成硬掩模层和图形化极紫外光刻胶层;/n以所述图形化极紫外光刻胶层为掩模,刻蚀所述硬掩模层,并将图形化极紫外光刻胶层中的图形传递至所述硬掩模层中,以形成图形化硬掩模层,所述图形化硬掩模层具有开口;/n在所述开口中形成填充层;以及/n去除所述硬掩模层,以暴露出所述半导体衬底,所述半导体衬底上保留所述开口中的填充层。/n
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