[发明专利]流量可控的侧排气装置及具有该装置的拉晶炉有效
| 申请号: | 201911076441.9 | 申请日: | 2019-11-06 |
| 公开(公告)号: | CN110714222B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
| 发明(设计)人: | 全弘湧 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
| 地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 流量 可控 排气装置 具有 装置 拉晶炉 | ||
本发明提供一种流量可控的侧排气装置和具有该装置的拉晶炉,装置包括:炉体,所述炉体内限定有腔室,所述炉体的顶部设有与所述腔室连通的拉晶口;基座,所述基座设在所述腔室内;坩埚,所述坩埚设在所述基座上;所述炉体的侧壁上设有与所述腔室连通的第一出口以排出所述腔室内的气体,所述第一出口位于所述坩埚的上方。在多晶硅熔融过程中产生的氧化物能够通过第一出口排出,避免含有氧化物的气体向侧排气装置下部的隔热材料及其他结构件方向流动,避免氧化物附着在隔热材料及其他结构件上,避免蚀刻隔热材料及其他结构件,延长隔热材料及其他结构件的寿命,保证隔热材料的隔热效果。
技术领域
本发明涉及拉晶炉领域,具体涉及一种流量可控的侧排气装置及具有该装置的拉晶炉。
背景技术
生产单晶晶棒时,在拉晶炉的基座上放置石英坩埚,石英坩埚内装满多晶硅,然后熔融多晶硅,再进行拉晶工艺生长晶棒,拉晶炉的结构对多晶硅的熔融以及晶棒的生长具有重要影响,可能导致生长的晶棒质量不符合要求。
发明内容
本发明提供一种流量可控的侧排气装置和具有该装置的拉晶炉。
第一方面,根据本发明实施例的流量可控的侧排气装置,包括:
炉体,所述炉体内限定有腔室,所述炉体的顶部设有与所述腔室连通的拉晶口;
基座,所述基座设在所述腔室内;
坩埚,所述坩埚设在所述基座上;
所述炉体的侧壁上设有与所述腔室连通的第一出口以排出所述腔室内的气体,所述第一出口位于所述坩埚的上方。
其中,所述炉体的侧壁上设有多个间隔开分布的所述第一出口。
其中,所述炉体的侧壁上设有多个所述第一出口,多个所述第一出口沿所述炉体的周向间隔开均匀分布。
其中,所述炉体的底部设有与所述腔室连通的第二出口。
其中,所述炉体的底部设有多个所述第二出口,多个所述第二出口间隔开分布在所述炉体的底部。
其中,所述第二出口邻近所述炉体的侧壁设置。
其中,所述炉体的外部分别设有第一管道和第二管道,所述第一管道的一端与所述第一出口连通,所述第二管道的一端与所述第二出口连通,所述第一管道的另一端与所述第二管道的另一端连通。
其中,所述第一出口或所述第一管道上设有第一调节阀以调节流出所述第一出口的气体流量,所述第二出口或所述第二管道上设有第二调节阀以调节流出所述第二出口的气体流量。
其中,所述坩埚的外侧设有加热器,所述加热器与所述炉体的内壁之间设有隔热材料,和/或所述基座的外侧壁上设有隔热材料。
其中,所述炉体的内壁和所述基座的外侧壁上分别设有隔热材料。
其中,所述炉体的轴线、所述基座的轴线、所述拉晶口的轴线共线。
第二方面,根据本发明实施例的拉晶炉包括上述实施例中的流量可控的侧排气装置。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
根据本发明实施例的流量可控的侧排气装置,炉体的顶部设有与腔室连通的拉晶口,坩埚设在基座上,炉体的侧壁上设有与腔室连通的第一出口以排出腔室内的气体,第一出口位于坩埚的上方,在多晶硅熔融过程中产生的氧化物能够通过第一出口排出,避免含有氧化物的气体向侧排气装置下部的隔热材料以及其他结构件方向流动,避免氧化物附着在隔热材料以及其他结构件上,避免蚀刻隔热材料以及其他结构件,延长隔热材料以及其他结构件的寿命,保证隔热材料的隔热效果。
附图说明
图1为本发明实施例的侧排气装置的一个结构示意图;
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