[发明专利]开口的侧壁上的粗糙度的减小

说明书

本发明描述与减小开口的侧壁上的粗糙度相关的方法、设备及系统。一种实例方法包含在第一硅酸盐材料中的开口的第一侧壁及上覆第二硅酸盐材料中的所述开口的第二侧壁上形成衬里材料，其中所述衬里材料经形成到覆盖所述第一侧壁上的延伸到所述开口中的粗糙度的厚度。所述实例方法进一步包含利用非选择性蚀刻化学物质从所述开口的所述第一侧壁及所述开口的所述第二侧壁移除所述衬里材料以减小所述第一侧壁上的所述粗糙度。

技术领域

本发明一般来说涉及半导体装置及方法，且更特定来说，涉及开口的侧壁上的粗糙度的减小。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电阻性随机存取存储器(ReRAM)及快闪存储器等等。一些类型的存储器装置可为非易失性存储器(例如，ReRAM)且可用于需要高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的广泛电子应用。与在缺乏电力的情况下保持其存储状态的非易失性存储器单元(例如，快闪存储器单元)相比，易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电力来保持其存储数据状态(例如，经由刷新过程)。然而，各种易失性存储器单元(例如DRAM单元)可比各种非易失性存储器单元(例如快闪存储器单元)更快地操作(例如，编程、读取、擦除等)。

发明内容

本申请案的一个实施例提供一种方法，其包括：在第一硅酸盐材料(103)中的开口(119)的第一侧壁(113)及上覆第二硅酸盐材料(106)中的所述开口的第二侧壁(117)上形成衬里材料(221)，其中所述衬里材料经形成到覆盖所述第一侧壁上的延伸到所述开口中的粗糙度(214)的厚度(223)；及利用非选择性蚀刻化学物质从所述开口(119)的所述第一侧壁(113)及所述开口(119)的所述第二侧壁(117)移除所述衬里材料(221)以减小所述第一侧壁(113)上的所述粗糙度(214)。

本申请案的另一实施例提供一种方法，其包括：在与下伏材料(101)相邻的第一硅酸盐材料(103)中的开口(119)的第一侧壁(113)及上覆第二硅酸盐材料(106)中的所述开口的第二侧壁(117)上沉积衬里材料(221)到覆盖所述第一侧壁上的延伸到所述开口中的粗糙度(214)的厚度(223)；及利用非选择性蚀刻化学物质蚀刻所述衬里材料(221)及所述第一侧壁(113)上的所述粗糙度(214)，直到从所述开口(119)的所述第一侧壁(113)及所述第二侧壁(117)移除所述衬里材料，以减小(334)所述第一侧壁上的所述粗糙度(214)。

本申请案的又一实施例提供一种方法，其包括：在第一硅酸盐材料(103)上方沉积第二硅酸盐材料(106)以形成延伸穿过所述第二硅酸盐材料的开口(119)的第二部分(116)；经由所述开口(119)的所述第二部分(116)将所述开口的第一部分(112)蚀刻到所述第一硅酸盐材料(103)中；在所述第一硅酸盐材料(103)中的所述开口(119)的所述第一部分(112)的第一侧壁(113)及所述第二硅酸盐材料(106)中的所述开口的所述第二部分(116)的第二侧壁(117)上沉积非共形衬里材料(221)到覆盖所述第一侧壁上的延伸到所述开口的所述第一部分中的粗糙度(214)的厚度(223)；及利用非选择性蚀刻化学物质蚀刻所述开口(119)的所述第一部分及所述第二部分(112、116)的所述侧壁(113、117)上的所述衬里材料(221)，直到从所述侧壁移除所述衬里材料且减小(334)所述开口的所述第一部分上的所述粗糙度(214)。

本申请案的又一实施例提供一种存储器装置的部分，所述存储器装置是通过本申请案的方法形成，其中：所述存储器装置包括至少一个存储器单元，所述存储器单元包含：至少一个电容器，其作为数据存储元件，所述至少一个电容器由所述电容器支撑结构支撑；及至少一个存取装置，其经耦合到所述至少一个电容器。

附图说明