[发明专利]开口的侧壁上的粗糙度的减小

权利要求书

1.一种用于开口的侧壁上的粗糙度的减小的方法，其包括：

在衬底材料上形成第一硅酸盐材料；

在所述第一硅酸盐材料上形成上覆第二硅酸盐材料，其中所述第一硅酸盐材料与所述第二硅酸盐材料不同；

形成穿过所述第一硅酸盐材料和所述第二硅酸盐材料的开口以与形成在所述上覆第二硅酸盐材料中的所述开口的宽度相符，其中形成所述开口包括使用具有选择性的选择性蚀刻工艺，所述选择性蚀刻工艺用于移除在所述第一硅酸盐材料中的所述开口的第一侧壁的暴露表面上形成所述第一硅酸盐材料的化合物，且其中所述开口延伸穿过所述上覆第二硅酸盐材料并穿过所述第一硅酸盐材料；

在所述第一硅酸盐材料中的所述开口的所述第一侧壁上以及所述上覆第二硅酸盐材料中的所述开口的第二侧壁上形成由与所述第一硅酸盐材料相同的材料组成的衬里材料，其中所述衬里材料经形成到覆盖所述第一侧壁上的延伸到所述开口中的粗糙度的厚度，并且延伸到所述开口的所述粗糙度由所述选择性蚀刻工艺导致；以及

利用具有对所述衬里材料与对所述粗糙度具有相同的蚀刻速率的非选择性蚀刻化学物质，从所述开口的所述第一侧壁以及所述开口的所述第二侧壁移除所述衬里材料的部分，以移除由所述选择性蚀刻工艺导致的所述第一侧壁上的所述粗糙度。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

以延伸穿过所述上覆第二硅酸盐材料且到所述第一硅酸盐材料中的基本上圆柱形的配置形成所述开口；及

在形成所述衬里材料之前，移除所述第一硅酸盐材料中的所述开口的锥形以符合先前形成在所述上覆第二硅酸盐材料中的所述开口的直径；

其中所述粗糙度起因于对移除形成所述第一硅酸盐材料的多种化学化合物中的化学化合物的所述选择性。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括基于所述粗糙度延伸到所述开口中的距离的确定，确定形成在所述开口的所述第一侧壁及所述第二侧壁上以覆盖所述粗糙度的所述衬里材料的所述厚度。

4.一种用于开口的侧壁上的粗糙度的减小的方法，其包括：

在衬底材料上形成第一硅酸盐材料；

在所述第一硅酸盐材料上形成上覆第二硅酸盐材料，其中所述第一硅酸盐材料与所述第二硅酸盐材料不同；

形成穿过所述第一硅酸盐材料和所述第二硅酸盐材料的开口以与形成在所述上覆第二硅酸盐材料中的所述开口的宽度相符，其中形成所述开口包括使用具有选择性的选择性蚀刻工艺，所述选择性蚀刻工艺用于移除在所述第一硅酸盐材料中的所述开口的第一侧壁的暴露表面上形成所述第一硅酸盐材料的化合物，且其中所述开口延伸穿过所述上覆第二硅酸盐材料并穿过所述第一硅酸盐材料；

在与所述衬底材料相邻的所述第一硅酸盐材料中的所述开口的所述第一侧壁上以及所述上覆第二硅酸盐材料中的所述开口的第二侧壁上沉积由与所述第一硅酸盐材料相同的材料组成的衬里材料到覆盖所述第一侧壁上的延伸到所述开口中的粗糙度的厚度，并且延伸到所述开口的所述粗糙度由所述选择性蚀刻工艺导致；以及

利用具有对所述衬里材料与对所述粗糙度相同的蚀刻速率的非选择性蚀刻化学物质，蚀刻所述衬里材料的部分及所述第一侧壁上的所述粗糙度，直到从所述开口的所述第一侧壁及所述第二侧壁移除所述衬里材料的部分，且移除由所述选择性蚀刻工艺导致的所述第一侧壁上的所述粗糙度。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：

以延伸穿过所述上覆第二硅酸盐材料且到所述第一硅酸盐材料中的基本上圆柱形的配置形成所述开口；及

在沉积所述衬里材料之前，蚀刻所述第一硅酸盐材料中的所述开口的锥形，所述锥形具有朝向所述衬底材料减小的直径，以符合形成在所述上覆第二硅酸盐材料中的所述开口的直径；

其中所述粗糙度起因于对形成所述第一硅酸盐材料的多种化学化合物中的化学化合物的蚀刻选择性。