[发明专利]显示面板、显示装置和显示面板的制作方法有效
| 申请号: | 201911054817.6 | 申请日: | 2019-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN110767670B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
| 发明(设计)人: | 王雪丹;王程功;崔霜;李庆;杨婷慧 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
驱动背板;
第一类发光单元,位于所述驱动背板上;所述第一类发光单元包括层叠设置的第一发光层和第一电极,所述第一电极位于所述第一发光层和所述驱动背板之间,所述第一发光层通过所述第一电极与所述驱动背板电连接;
第二类发光单元,位于所述驱动背板上;所述第二类发光单元包括依次层叠设置的第二发光层、第二电极、至少一层非发光层和至少一层导通电极,所述第二电极与所述导通电极短接,所述第二发光层通过所述第二电极以及所述导通电极与所述驱动背板电连接;
其中,所述第二类发光单元的至少一层所述非发光层与所述第一类发光单元的所述第一发光层的材料相同,且位于同一膜层;
所述第二电极和所述导通电极通过设置在所述非发光层的侧壁的导电膜层短接,短接后的所述第二电极和所述导通电极包覆所述非发光层;
钝化层,位于所述第一发光层和所述第二发光层远离所述驱动背板的一侧,所述钝化层包括第一开口和第二开口,所述第一开口露出至少部分所述第一发光层,所述第二开口露出至少部分所述第二发光层;
公共电极,位于所述钝化层远离所述驱动背板的一侧,所述公共电极在所述钝化层的第一开口处与所述第一发光层接触,以及所述公共电极在所述钝化层的第二开口处与所述第二发光层接触;
其中,所述公共电极为透明电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一类发光单元为第一发光单元,所述第二类发光单元包括第二发光单元和第三发光单元;
所述第二发光单元包括依次层叠设置的第二发光层、第二电极、第一非发光层和第一导通电极;所述第二发光单元的所述第二电极和所述第二发光单元的所述第一导通电极短接,所述第二发光单元的所述第二发光层通过所述第二发光单元的所述第二电极与所述驱动背板电连接;
所述第三发光单元包括依次层叠设置的第二发光层、第二电极、第二非发光层、第二导通电极、第一非发光层和第一导通电极;所述第三发光单元的所述第二电极、所述第三发光单元的所述第二导通电极和所述第三发光单元的所述第一导通电极短接,所述第三发光单元的所述第二发光层通过所述第三发光单元的所述第二电极与所述驱动背板电连接;
其中,所述第二发光单元的所述第一非发光层、所述第三发光单元的所述第一非发光层和所述第一发光单元的所述第一发光层的材料相同,且位于同一膜层;所述第二发光单元的所述第二发光层与所述第三发光单元的所述第二非发光层的材料相同,且位于同一膜层。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极和所述导通电极通过设置在所述非发光层的侧壁的导电膜层短接;所述导电膜层包括第一金属层和第二金属层,所述第一金属层位于所述非发光层的侧壁和所述第二金属层之间;优选地,所述第一金属层的材料包括钛,所述第二金属层的材料包括金或铝。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述非发光层的面积大于所述第二发光层的面积。
5.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板,其特征在于,至少两层所述非发光层的面积在沿发光层至非发光层的方向上依次增大。
6.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1-5任一项所述的显示面板。
7.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供驱动背板;
提供发光单元基板,所述发光单元基板包括层叠设置的第一电极材料层、第一外延层、至少一层第二电极材料层和至少一层第二外延层;
将所述发光单元基板与所述驱动背板邦定;
图形化距离所述驱动背板最远的所述第二外延层,形成第二类发光单元的第二发光层;
图形化距离所述驱动背板最远的所述第二电极材料层,形成所述第二类发光单元的第二电极;
图形化所述第一外延层,形成第一类发光单元的第一发光层和所述第二类发光单元的非发光层;
图形化所述第一电极材料层,形成所述第一类发光单元的第一电极和所述第二类发光单元的导通电极;
将所述第二类发光单元的第二电极和导通电极短接;
所述将所述第二类发光单元的第二电极和导通电极短接,包括:
在所述非发光层的侧壁制作电极材料,所述第二电极和所述导通电极通过设置在所述非发光层的侧壁的导电膜层短接,以使短接后的所述第二电极和所述导通电极包覆所述非发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





