[发明专利]包括桥接管芯的系统级封装

权利要求书

1.一种系统级封装，该系统级封装包括：

第一子封装；以及

安装在所述第一子封装上的第二子封装，

其中，所述第一子封装包括：

再分配线RDL结构，该RDL结构包括第一RDL图案和第二RDL图案；

第一半导体芯片，该第一半导体芯片设置在所述RDL结构上，使得所述第一半导体芯片的电连接到所述第一RDL图案的第一芯片焊盘面向所述RDL结构；

第二半导体芯片，该第二半导体芯片层叠在所述第一半导体芯片上，使得所述第二半导体芯片突出越过所述第一半导体芯片的侧表面，其中，设置在所述第二半导体芯片的突起上的第二芯片焊盘面向所述RDL结构；

第一桥接管芯，该第一桥接管芯设置在所述RDL结构上以支撑所述第二半导体芯片的所述突起，其中，所述第一桥接管芯包括由第一通孔穿透的第一主体，其中，所述第一通孔将所述第二芯片焊盘电连接到所述第一RDL图案；

第二桥接管芯，该第二桥接管芯设置在所述RDL结构上并且与所述第一半导体芯片间隔开，其中，所述第二桥接管芯包括由第二通孔穿透的第二主体，其中，所述第二通孔将所述第二子封装电连接到所述第二RDL图案；以及

模制层，该模制层设置在所述RDL结构上以覆盖所述第一半导体芯片和所述第一桥接管芯并且围绕所述第二半导体芯片和所述第二桥接管芯。

2.根据权利要求1所述的系统级封装，其中，

所述第二半导体芯片包括被配置为存储数据的第一存储器半导体芯片；

所述第一半导体芯片包括系统芯片SoC，该SoC被配置为通过第一电路径接收存储在所述第一存储器半导体芯片中的数据，该第一电路径包括所述第二芯片焊盘、所述第一通孔、所述第一RDL图案和所述第一芯片焊盘；并且

所述第二子封装包括电连接到所述SoC的第二存储器半导体芯片。

3.根据权利要求1所述的系统级封装，其中，所述第一桥接管芯包括：

第一柱状凸块，该第一柱状凸块设置在所述第一主体的顶表面上并且电连接到所述第一通孔，其中，所述第一柱状凸块的直径大于所述第一通孔的直径；以及

第一通孔焊盘，该第一通孔焊盘设置在所述第一主体的底表面上并且电连接到所述第一通孔，其中，所述第一通孔焊盘的直径大于所述第一通孔的直径。

4.根据权利要求3所述的系统级封装，该系统级封装还包括：

第一内连接器，该第一内连接器将所述第一通孔焊盘电连接到所述第一RDL图案；以及

第二内连接器，该第二内连接器将所述第一柱状凸块电连接到所述第二芯片焊盘。

5.根据权利要求4所述的系统级封装，该系统级封装还包括设置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间并且与所述第二内连接器间隔开的虚拟凸块，其中，该虚拟凸块被配置为支撑所述第二半导体芯片。

6.根据权利要求5所述的系统级封装，其中，

所述第二半导体芯片还包括设置在所述第二半导体芯片的面向所述第一半导体芯片的表面上的虚拟接合焊盘；并且

所述虚拟凸块接合到所述虚拟接合焊盘。

7.根据权利要求4所述的系统级封装，该系统级封装还包括设置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间并且与所述第二内连接器间隔开的粘合层，其中，该粘合层被配置为支撑所述第二半导体芯片。

8.根据权利要求3所述的系统级封装，其中，

所述第二半导体芯片还包括第三芯片焊盘，该第三芯片焊盘设置在所述突起上并且与所述第二芯片焊盘间隔开；

所述RDL结构还包括第三RDL图案，该第三RDL图案与所述第一RDL图案间隔开并且电连接到第一外连接器；并且

所述第一桥接管芯还包括第三通孔和第三柱状凸块，所述第三通孔与所述第一通孔间隔开并且通过所述第三RDL图案将所述第三芯片焊盘电连接到所述第一外连接器，所述第三柱状凸块电连接到所述第三通孔。