[发明专利]一种封装结构、封装结构制程方法及显示面板在审
申请号: | 201911036248.2 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN110854152A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 江沛;樊勇;柳铭岗 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄灵飞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 结构 方法 显示 面板 | ||
本申请实施例提供一种封装结构、封装结构制程方法及显示面板,该封装结构包括:阵列基板,所述阵列基板包括相对设置第一面和第二面;微型发光二极管,所述微型发光二极管设置在所述第一面且所述微型发光二极管对应有效显示区;贴合胶材,所述贴合胶材设置在所述第一面和所述微型发光二极管上;封装胶材,所述封装胶材覆盖所述第一面、所述微型发光二极管以及所述贴合胶材。在切割过程中,该贴合胶材可作为保护胶材以防止切割工艺造成对阵列基板的损害并能提高显示面板的封装工艺精度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种封装结构、封装结构制程方法及显示面板。
背景技术
微型发光二极管(Mini/Micro-Light Emitting Diode,Mini/Micro-LED)显示作为下一代显示技术,凭借其真正实现无缝拼接,优秀的显示效果,色彩还原性强,宽视角,高刷新率,高对比度,高稳定性,低功耗,高灰度等优势,显现出比液晶显示(Liquid CrystalDisplay,LCD)和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示更优异的性能。从长远来看,随着转移等关键技术的突破,微型发光二极管或将全面进入从小屏到大屏的各类显示领域。
目前,常用的微型发光二极管显示面板封装工艺主要有点胶和压胶两种,其中点胶方式因受围坝宽度的限制,压胶方式受压胶制具精度及对位精度的限制,均不能实现在有效显示区(Active Area,AA)以内精密封装,同时在工艺过程中,还可能造成有效显示区以外溢胶等问题,而以上问题均会影响着拼接缝宽。为了真正实现无缝拼接,现有的微型发光二极管显示面板仍需大大提高其封装工艺精度。
发明内容
本申请实施例提供一种封装结构、封装结构制程方法及显示面板,能够减小微型发光二极管拼接缝宽并且提高封装工艺精度。
本申请提供一种封装结构,包括:
阵列基板,所述阵列基板包括相对设置的第一面和第二面;
微型发光二极管,所述微型发光二极管设置在所述第一面且所述微型发光二极管对应有效显示区;
贴合胶材,所述贴合胶材设置在所述第一面和所述微型发光二极管上;
封装胶材,所述封装胶材覆盖所述第一面、所述微型发光二极管以及所述贴合胶材。
在一些实施例中,所述贴合胶材为紫外光敏胶材、聚合物胶材、有机胶材、树脂类胶材、有机硅类胶材其中任一种。
在一些实施例中,所述贴合胶材从阵列基板的边缘延伸至所述微型发光二极管边缘,且所述贴合胶材至少部分覆盖在所述微型发光二极管远离所述阵列基板的一面。
在一些实施例中,所述贴合胶材从阵列基板的边缘延伸至所述微型发光二极管边缘,且所述贴合胶材完全覆盖所述微型发光二极管远离所述阵列基板的一面。
本申请提供一种封装结构的制程方法,包括:
提供一阵列基板,所述阵列基板包括相对设置的第一面和第二面;
在所述第一面设置微型发光二极管,且所述微型发光二极管对应有效显示区;
在所述第一面和所述微型发光二极管上设置贴合胶材;
在所述第一面、所述微型发光二极管以及所述贴合胶材上覆盖封装胶材;
将所述微型发光二极管对应的有效显示区边缘的所述封装胶材切割;
将所述第一面的微型发光二极管边缘与阵列基板边缘之间的所述贴合胶材以及所述封装胶材去除。
在一些实施例中,将所述微型发光二极管对应的有效显示区边缘的所述封装胶材切割,包括:以垂直所述第一面的方向沿微型发光二极管所对应有效显示区边缘切割所述封装胶材。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的