[发明专利]一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步骤：

步骤i、在带有图案化透明阳极层(2)的基板(1)上制备阳极界面层(3)；

步骤ii、在所述阳极界面层(3)上制备阳极界面修饰层(4)；

步骤iii、在所述阳极界面修饰层(4)上生长钙钛矿发光层(5)；

步骤iv、在所述钙钛矿发光层(5)上方通过蒸发依次得到阴极界面层(6)、阴极界面修饰层(7)和阴极层(8)；

在步骤ii中，阳极界面修饰层(4)的材料采用醇胺类化合物。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤ii包括：

将醇胺类化合物溶液通过旋涂均匀涂满整个基板(1)，控制旋涂速度为1000-5000转每分钟，在所述阳极界面层(3)的表面上形成阳极界面修饰层(4)，然后放置在热台上加热适当的时间；

所述醇胺类化合物溶液的制备方法如下：以乙醇为溶剂，配制溶液浓度为5-40％的醇胺溶液，在常温下充分搅拌。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述醇胺类化合物为乙醇胺或异丙醇胺或正丙醇胺或异丁醇胺。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤i中，所述图案化透明阳极层(2)为铟锡氧化物电极，厚度为50-200纳米。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤i中，所述阳极界面层(3)为聚噻吩衍生物聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)掺杂聚苯乙烯磺酸，厚度为10-50纳米。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤iii中，所述钙钛矿发光层(5)为纯无机钙钛矿CsPbBr₃或CsPbCl₃或CsPbI₃中的一种或几种，厚度为10-50纳米。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤iv中，所述阴极界面层(6)为TPBi，厚度为5-50纳米。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤iv中，所述阴极界面修饰层(7)为LiF，厚度为0.5-2纳米。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤iv中，所述阴极层(8)为铝或银，厚度为20-100纳米。