[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201911017025.1 | 申请日: | 2019-10-24 |
公开(公告)号: | CN110854163A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 周志伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄灵飞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种显示面板及其制备方法,本发明利用导电聚合物可大面积成膜、便于进行图形化的优势;与金属相媲美的电导率;耐弯折性能;随着温度增加电导率不降低的特性;较强的电导方向等特性;采用导电聚合物材料替换所述显示面板中的走线的金属材料,以同时满足导电和耐弯折的使用需求。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED(英文全称:Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)器件又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的基本结构是由一薄而透明具有半导体特性的铟锡氧化物(ITO)与电力之正极相连,再加上另一个金属面阴极,包成如三明治的结构。整个结构层中包括了:空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时,正极空穴与面阴极电荷就会在发光层中结合,在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对),而此激发态在通常的环境中是不稳定的,激发态的激子复合并将能量传递给发光材料,使其从基态能级跃迁为激发态,激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子,释放出光能,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色,构成基本色彩。
首先OLED的特性是自己发光,不像薄膜晶体管液晶显示装置(英文全称:Thinfilm transistor-liquid crystal display,简称TFT-LCD)需要背光,因此可视度和亮度均高。其次OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,已经成为当今最重要的显示技术之一,正在逐步替代TFT-LCD,有望成为继LCD之后的下一代主流显示技术。
随着各大面板厂不断加大对柔性显示的开发力度,未来具有多折叠功能的电子产品似乎正呼之欲出。实际上,以OLED为代表的具有可折叠功能的显示屏开发遇到了很多技术障碍,其中一个重要难点就是OLED各个膜层与线路既要满足具备优异的耐弯折性能不出现裂纹,又要保证具备良好的导电能力(金属走线)、绝缘性能(无机膜层)以及水氧阻隔性能(无机膜层)。然而,当前OLED中使用的金属走线主要包括以高弹性模量的钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al),尽管金属相比于无机膜层更具耐弯折能力,但是随着弯折半径的不断减小以及产品弯折次数的不断增加,使得当前使用的金属材料难以满足越来越严苛的要求,当前技术条件下,金属走线在弯折后极易出现裂纹。因此,需要寻求一种新型材料替代金属走线材料以同时满足导电与耐极限弯折的使用要求。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种显示面板及其制备方法,其能够替代现有的金属走线材料以同时满足导电与耐极限弯折的使用要求。
为了解决上述问题,本发明的一个实施方式提供了一种显示面板,其中包括:基底层和导电层。其中所述导电层设置于所述基底层上;所述导电层为导电聚合物薄膜。
进一步的,其中所述导电聚合物薄膜包括:导电聚吡咯薄膜、导电聚苯胺薄膜、导电聚噻吩薄膜和杂环类导电聚合物薄膜中的一种。
进一步的,其中所述导电层包括栅极层、源漏极层中的一种或多种。
进一步的,其中所述显示面板还包括:有源层、栅极绝缘层、层间绝缘层。其中所述有源层设置于所述基底层上;所述栅极绝缘层设置于所述有源层上;其中所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上;所述层间绝缘层设置于所述栅极层上;其中所述源漏极层设置于所述层间绝缘层上;所述源漏极层通过过孔连接于所述有源层上。
本发明的另一个实施方式还提供了一种本发明所涉及的显示面板的制备方法,其中包括以下步骤:步骤S1,制备基底层;步骤S2,在所述基底层上涂布碱式聚合物溶液形成碱式聚合物薄膜,将该薄膜经过烘干处理后形成导电聚合物薄膜,最终形成导电层。
进一步的,其中所述步骤S2中的碱式聚合物溶液包括:碱式聚吡咯溶液、碱式聚苯胺溶液、碱式聚噻吩溶液和杂环类碱式聚合物溶液中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的