[发明专利]一种LED封装结构及其封装方法

说明书

本发明提供了一种LED封装结构及其封装方法，本发明的LED封装结构采用氮的等离子体对镀层进行上表面的处理，以形成较为粗糙的氮处理层，该氮处理层的润湿性较差，可以阻止间隔材料(即绝缘树脂材料)的爬升，保证电连接的可靠性。另外，布线金属层具有碗形的侧面，使得所述间隔材料内嵌到所述镀层与散热基板之间，保证间隔材料填充间隔槽的体积的基础上，可以实现防止剥离和进一步防止爬升的目的。

技术领域

本发明涉及光电器件封装测试领域，具体涉及一种LED封装结构及其制造方法。

背景技术

现有的LED封装结构多为COB结构，即板上芯片结构，其中，为了电连接的需要往往需要在基板上形成布线层，并且为了使得布线层之间的电可靠性，往往需要在所述电镀层之间填充绝缘材质，以增加电绝缘性能。如图12所示，基板1上具有布线层2，所述布线层2为多个分立的孤岛状结构，其中布线层2的表面上镀有镀层3，所述镀层3一般为镍、金、银等材质，LED芯片6的背面通过焊料层7焊接于所述镀层3上，所述LED芯片6的出光面电极通过焊线8焊接于所述镀层3以实现电连接，且所述焊接处具有焊接点9。由于镀层3具有润湿性，在间隔处填充的树脂绝缘材4会爬至镀层3的上表面，如图12的爬升部分5，该爬升部分可能导致焊线8的虚焊，并且焊料层7与镀层3的接合力也受到影响。

发明内容

基于解决上述问题，本发明提供了一种LED封装方法，其包括以下步骤：

(1)提供散热基板，并在所述散热基板上压合光阻树脂层；

(2)利用光刻技术图案化所述光阻树脂层，形成多个分立的开口；

(3)烘烤所述光阻树脂层，使得所述开口的侧壁呈碗形；

(4)在所述开口内填充金属材料以共形的形成金属层；

(5)去除所述光阻树脂层，使得所述金属层具有多个间隔槽；

(6)在所述金属层的上表面和侧面形成镀层；

(7)对所述镀层进行氮的等离子轰击，在所述上表面形成氮处理层；

(8)在所述间隔槽内填充间隔材料；

(9)将多个LED芯片通过焊料层焊接于所述氮处理层，并与所述金属层电连接。

根据本发明的实施例，所述烘烤的温度大于所述光阻树脂层的软化温度，例如大于80℃。

根据本发明的实施例，在所述开口内填充金属的方法包括电镀、化学镀、气相沉积或溅射。

根据本发明的实施例，在步骤(7)中，对所述镀层进行氮的等离子轰击具体包括：在氮气环境下，将氮气等离子化并进行垂直于所述上表面的等离子体轰击，在所述金属层的上表面形成氮处理层，所述氮处理层具有粗糙表面。

根据本发明的实施例，所述步骤(9)具体包括：将所述LED芯片的下电极经由焊料层焊接于所述金属层上，所述LED芯片的上电极经由焊线焊接于所述金属层上。

本发明还提供了一种LED封装结构，其通过上面所述LED封装方法制备得到，具体包括：

散热基板；

金属层，其侧面为碗形，且经由多个间隔槽呈岛状孤立分布；

镀层，覆盖所述金属层的上表面和侧面，其中所述上表面经由氮的等离子轰击，在所述上表面形成有氮处理层；

间隔材料，填充于所述间隔槽内，其高度低于所述氮处理层；

多个LED芯片，经由焊料层焊接于所述氮处理层，并与所述金属层电连接。

根据本发明的实施例，所在所述焊料层与所述氮处理层之间形成有焊料与镀层的合金层。