[发明专利]一种LED封装结构及其封装方法有效
| 申请号： | 201911015875.8 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110660896B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 侯立东 | 申请（专利权）人： | 福建龙业光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64;H01L25/16;H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人： | 周松强 |
| 地址： | 364300 福建省龙*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种LED封装方法，其包括以下步骤：
(1)提供散热基板，并在所述散热基板上压合光阻树脂层；
(2)利用光刻技术图案化所述光阻树脂层，形成多个分立的开口；
(3)烘烤所述光阻树脂层，使得所述开口的侧壁呈碗形；
(4)在所述开口内填充金属材料以共形的形成金属层；
(5)去除所述光阻树脂层，使得所述金属层具有多个间隔槽；
(6)在所述金属层的上表面和侧面形成镀层；
(7)对所述镀层进行氮的等离子轰击，在所述上表面形成氮处理层；
(8)在所述间隔槽内填充间隔材料；
(9)将多个LED芯片通过焊料层焊接于所述氮处理层，并与所述金属层电连接。
2.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于：所述烘烤的温度大于所述光阻树脂层的软化温度。
3.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于：在所述开口内填充金属的方法包括电镀、化学镀、气相沉积或溅射。
4.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于：在步骤(7)中，对所述镀层进行氮的等离子轰击具体包括：在氮气环境下，将氮气等离子化并进行垂直于所述上表面的等离子体轰击，在所述金属层的上表面形成氮处理层，所述氮处理层具有粗糙表面。
5.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于：所述步骤(9)具体包括：将所述LED芯片的下电极经由焊料层焊接于所述金属层上，所述LED芯片的上电极经由焊线焊接于所述金属层上。
6.一种LED封装结构，其通过权利要求1-5中任一项所述LED封装方法制备得到，具体包括：
散热基板；
金属层，其侧面为碗形，且经由多个间隔槽呈岛状孤立分布；
镀层，覆盖所述金属层的上表面和侧面，其中所述上表面经由氮的等离子轰击，在所述上表面形成有氮处理层；
间隔材料，填充于所述间隔槽内，其高度低于所述氮处理层；
多个LED芯片，经由焊料层焊接于所述氮处理层，并与所述金属层电连接。
7.根据权利要求6所述的LED封装结构，其特征在于：所在所述焊料层与所述氮处理层之间形成有焊料与镀层的合金层。
8.根据权利要求6所述的LED封装结构，其特征在于：所述氮处理层的润湿性比所述侧面的镀层的润湿性差。
9.根据权利要求6所述的LED封装结构，其特征在于：所述间隔材料的顶面低于所述氮处理层，且所述间隔材料的顶面是具有一曲率的弧面。
10.根据权利要求6所述的LED封装结构，其特征在于：所述镀层为镍层。
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