[发明专利]集成电路在审
| 申请号： | 201911011824.8 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111092079A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陈重辉;詹豪傑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路，其特征在于，包含：
在一第一方向上延伸的两个平行主动区域，该两平行主动区域包括位于一n型井中的一p型主动区域及位于一p型井中的一n型主动区域；
一n型拾取区，位于该n型井中且配置以具有一第一电源电压；以及
一p型拾取区，其位于p型井中且配置以具有一第二电源电压，其中该第二电源电压比该第一电源电压低；
其中该n型拾取区与该p型拾取区沿着不同于该第一方向的一方向相互分开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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