[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，阵列基板包括薄膜晶体管结构层；以及公共电极层设于薄膜晶体管结构层上；第一开孔设于公共电极层上；钝化层覆于公共电极层上且填充于第一开孔；像素电极层覆于钝化层上并穿过钝化层和第一开孔连接至薄膜晶体管结构层；开口从像素电极层延伸至公共电极层的表面；第一填充层覆于公共电极层、像素电极层上并填充于开口；所述钝化层的光的透过率小于所述第一填充层的光的透过率。本发明的阵列基板及其制备方法、显示装置，提高了阵列基板整体透过率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体为一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

近年来，在TFT-LCD中，正在推进用于节省电力化、高清晰化及提高色再现性的项目开发。其中提高穿透性能、提升TFT-LCD的亮度、减少电力损耗，是世界各家面板厂都在攻克的难关。TFT-LCD面板的穿透性是指背光源透过TFT-LCD面板前后的光强之比。通常情况下TFT-LCD的光的透过率只有3-10％，也就是说超过90％的光是无法得到利用的。对于TFT-LCD的阵列基板(TFT)来说，除开金属走线外，对穿透率影响较大的还有由氧化硅、氮化硅、氧化铟锡、平坦层所用材料构成的多层膜结构。每层膜的折射率和消光系数都会对多层膜的整体穿透率产生影响。因此，可以通过调节每层膜的折射率、消光系数、膜层结构等参数来提高多层膜的透过率。

目前业界常用的阵列基板的膜层结构的底层缓冲层由氮化硅和氧化硅构成，间绝缘层由氮化硅和氧化硅构成，钝化层13’(PV)由氮化硅构成。通常来说，氮化硅的折射率会大于氧化硅的折射率，因此，光在穿过氮化硅和氧化硅界面时会有反射，造成透过率降低。为了提高透过率，可用氧化硅代替氮化硅。如图1所示，对于钝化层13’(PV)的氮化硅来说，一部分氮化硅裸露在开口3’中与空气接触，即开口3’处的氮化硅与空气接触；一部分氮化硅与其顶面的氧化铟锡材料制成的像素电极14’接触。如果直接用氧化硅来代替钝化层13’(PV)的氮化硅，与空气接触处的氧化硅的透过率，由于氧化硅与空气的折射率差值小而得到大幅提高，但与像素电极14’接触处的透过率由于氧化硅与像素电极的折射率差值大而降低。最终结果是阵列基板整体的透过率提高并不明显。

发明内容

为解决上述技术问题：本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，以提高阵列基板整体的光的透过率。

解决上述问题的技术方案是：本发明提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管结构层；以及公共电极层，设于所述薄膜晶体管结构层上；第一开孔，设于所述公共电极层上；钝化层，覆于所述公共电极层上且填充于所述第一开孔；像素电极层，覆于所述钝化层上并穿过所述钝化层和所述第一开孔连接至所述薄膜晶体管结构层；开口，从所述像素电极层延伸至所述公共电极层的表面；第一填充层，覆于所述公共电极层、所述像素电极层上并填充于所述开口；所述钝化层的光的透过率小于所述第一填充层的光的透过率。

在本发明一实施例中，所述薄膜晶体管结构层包括基底；有源层，设于所述基底上；栅极绝缘层，覆于所述基底上并覆盖所述有源层；栅极层，设于所述栅极绝缘层上；层间介质层，覆于所述栅极绝缘层上并覆盖所述栅极层；第二开孔，从所述层间介质层延伸至所述有源层的表面；源极和漏极，设于所述层间介质层上并分别通过一第二开孔连接至所述有源层；平坦化层，设于所述层间介质层上并覆盖所述源极和所述漏极；所述像素电极层连接至所述漏极。

在本发明一实施例中，所述源极和所述漏极覆于所述第二开孔的孔壁上；所述薄膜晶体管结构层还包括填充层，填充于所述第二开孔中且覆于所述源极和所述漏极的表面；所述填充层所用材料为氧化硅或氮化硅材料。

所述薄膜晶体管结构层还包括金属遮光层，设于所述基底远离所述有源层的一面且对应于所述有源层所在区域。

在本发明一实施例中，所述基底所用材料为氧化硅和/或氮化硅；所述层间介质层所用材料为氧化硅和/或氮化硅；所述像素电极层和所述公共电极层所用材料均为氧化铟锡材料。