[发明专利]存储装置、半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的表面形成沿第一方向延伸且间隔设置的多个第一沟槽，以形成多个条形部；

形成填充于各个所述第一沟槽的第一绝缘材料层；

形成多个第二沟槽，所述第二沟槽分割所述条形部以形成阵列排布的多个有源区；

形成至少覆盖各个所述第二沟槽表面的第二绝缘材料层；

形成沿第二方向延伸的多个栅极沟槽，所述栅极沟槽穿过多个所述第二沟槽，任一所述栅极沟槽包括多个由所述第二绝缘材料层形成的第三沟槽和被所述第三沟槽间隔开的多个第四沟槽；

形成至少覆盖所述第四沟槽位于所述有源区的表面的栅绝缘层，其中，所述栅绝缘层的等效氧化层厚度小于所述第二绝缘材料层的等效氧化层厚度；

形成位于所述栅极沟槽内的栅极层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二绝缘材料层的材料的介电常数小于所述栅绝缘层的材料的介电常数。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二绝缘材料层的厚度大于所述栅绝缘层的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成至少覆盖所述第四沟槽表面的栅绝缘层时，同时形成覆盖所述第三沟槽表面的第三绝缘层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成至少覆盖各个所述第二沟槽表面的第二绝缘材料层前，所述半导体器件的制备方法还包括：

向各个所述第二沟槽的表面注入离子，且所述注入的离子的类型与所述衬底的掺杂离子的类型相同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成至少覆盖各个所述第二沟槽表面的第二绝缘材料层之后，还包括：在第二绝缘材料层表面形成第四绝缘材料层，以实现完全填充所述第二沟槽，所述第四绝缘材料层的材料与所述第一绝缘材料层的材料相同。

7.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，表面设置有多个第一沟槽和多个第二沟槽，其中，所述第一沟槽沿第一方向延伸且间隔设置，任一所述第二沟槽连接相邻的两个所述第一沟槽，以使得所述衬底的表面被隔离出阵列分布的有源区；所述衬底的表面还设置有多个沿第二方向延伸的栅极沟槽，任一所述栅极沟槽穿过所述第一沟槽、所述有源区及所述第二沟槽；

栅极层，设于所述栅极沟槽内；

栅绝缘层，设于所述栅极沟槽位于所述有源区的部分的表面与所述栅极层之间；

绝缘层，设于所述第二沟槽的表面与所述栅极层之间；

其中所述栅绝缘层的等效氧化层厚度小于所述绝缘层的等效氧化层厚度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层的介电常数小于所述栅绝缘层的材料的介电常数。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层的厚度大于所述栅绝缘层的厚度。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底用于形成所述第二沟槽的部分的掺杂浓度，大于所述衬底用于形成位于有源区的栅极沟槽的部分的掺杂浓度。

11.一种存储装置，其特征在于，包括权利要求7～10任一项所述的半导体器件。