[发明专利]一种利用脉冲电沉积法制备纳米铜包覆碳化钨核壳结构粉体的方法有效
| 申请号： | 201910967487.3 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110724983B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王祖敏;韩露;黄远;马宗青;王璟;陈媛媛 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25D5/18 | 分类号： | C25D5/18;C25D3/38;C25D5/54;B22F1/18;B22F1/054;C01B32/949;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 脉冲 沉积 法制 纳米 铜包覆 碳化 钨核壳 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用脉冲电沉积法制备纳米铜包覆碳化钨核壳结构粉体的方法，其特征是包括如下步骤：
1)首先对原始碳化钨粉体在酸中进行酸洗刻蚀，清洗干燥后放入镀液中，镀液成分为：
2)利用脉冲电源在配置好的电镀液中对酸洗后的碳化钨粉体中进行间歇电镀纳米铜，间歇电镀是在阴极在底部，阴极为导电耐酸碱腐蚀的铌板的电镀槽中进行的，阳极为铜片；脉冲宽度为1～10ms，脉冲周期为11～20ms，电流密度为4～5A/dm2；在每一轮首先搅拌3～10min，搅拌是机械搅拌与超声同时进行；之后进行3～10min的静置沉降，使得搅拌之后的碳化钨粉体可以沉降到底部铌板；之后进行电镀，此为一个循环；
3)对粉末进行离心清洗，干燥，得到分散性良好，包覆性良好的纳米级铜包覆碳化钨粉体。
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