[发明专利]基板支撑单元，薄膜沉积设备及基板处理设备

说明书

一种用于在包括图案结构的基板上进行薄膜沉积的基板支撑单元以及包括该基板支撑单元的薄膜沉积设备，所述板支撑单元包括加热器；RF电极；连接到加热器的第一杆；连接到RF电极的第二杆；以及RF屏蔽，其与第二杆间隔开，设置成围绕第二杆，并沿第二杆的延伸方向延伸。

交叉引用相关申请

本申请要求于2018年10月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0119746的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

一个或多个实施例涉及基板支撑单元，包括该基板支撑单元的薄膜沉积设备，以及包括基板支撑单元的基板处理设备，更具体地，涉及用于使用等离子体增强原子层沉积(PEALD)来沉积薄膜在图案结构上的基板支撑单元以及薄膜沉积设备。

背景技术

等离子体增强原子层沉积(PEALD)相对于其中在高温下沉积膜的现有热原子层沉积具有在低温下沉积薄膜的优点。该优点可以通过间歇地依次引入反应气体或源气体，并通过等离子体激活和电离至少一种气体来实现。

在PEALD工艺中，RF功率通常耦合到位于反应器顶部的上电极，例如喷头，以在反应空间中生成等离子体。然而，当通过使用等离子体在基板上的图案结构(例如，具有沟槽的图案结构)上沉积薄膜时，沉积在直接暴露于等离子体的图案的顶部上的薄膜和沉积在沟槽壁上和沟槽的较少暴露于等离子体的底部上的薄膜的特性是不均匀的。

发明内容

一个或多个实施例包括用于在具有沟槽或凹部的图案结构上形成均匀薄膜的基板支撑单元和薄膜沉积设备。

一个或多个实施例包括在图案结构中的沟槽的侧壁部分和底部上沉积均匀膜质量的薄膜并在随后的湿蚀刻工艺期间改善湿蚀刻速率(WER)的一致性的方法。

其他方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从该描述中将是显而易见的，或者可以通过实践所提供的实施例而获悉。

根据一个或多个实施例，其中基板安置在上部上的基板支撑单元包括加热器；RF电极；连接到加热器的第一杆；连接到RF电极的第二杆；以及RF屏蔽，其与第二杆间隔开，并设置成围绕第二杆，并沿第二杆的延伸方向延伸。

根据基板支撑单元的示例，RF电极可以设置在加热器上。

根据基板支撑单元的另一示例，RF电极可以具有与基板的形状相对应的形状。

根据基板支撑单元的另一示例，基板支撑单元还可包括：绝缘材料，其设置在加热器和RF电极之间。

根据所述基板支撑单元的另一示例，所述基板支撑单元还可包括：第一绝缘构件，其设置在所述第二杆与所述RF屏蔽之间。

根据所述基板支撑单元的另一示例，所述基板支撑单元可以进一步包括：插座，其被构造为将所述第二杆连接至等离子体生成单元；接地支架，其被构造为将RF屏蔽接地，以及设置在插座和接地支架之间的第二绝缘构件。

根据所述基板支撑单元的另一示例，所述基板支撑单元可以进一步包括：固定单元，其被构造为固定所述RF屏蔽的位置；以及主体，其包括构造为围绕和支撑固定单元，其中主体与RF屏蔽和接地支架间隔开。

根据基板支撑单元的另一示例，固定单元可以包括：上固定单元，其与RF屏蔽的上部接触；以及下固定单元，其与RF屏蔽的下部接触；其中，下固定单元的一部分被构造为完全围绕RF屏蔽的圆周，下固定单元的另一部分被构造为部分地围绕RF屏蔽的圆周，并且在未被下固定单元围绕的部分中形成有气隙。

根据基板支撑单元的另一示例，接地支架可包括在与第二杆的延伸方向相同的方向上延伸的第一部分；在与第二杆的延伸方向不同的方向上延伸的第二部分，其中第一部分连接到RF屏蔽，并且其中第二部分连接到地面。