[发明专利]基板支撑单元,薄膜沉积设备及基板处理设备在审
申请号: | 201910920881.1 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN111005007A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 严基喆;韩政勋;金头汉;韩镕圭 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455;C23C16/509;H01J37/32;H01L21/687 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王增强 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑 单元 薄膜 沉积 设备 处理 | ||
1.一种基板支撑单元,在该基板支撑单元中,基板安置在上部上,该基板支撑单元包括:
加热器
射频电极;
连接到加热器的第一杆;
连接到射频电极的第二杆;和
射频屏蔽,该射频屏蔽与第二杆间隔开,设置为围绕第二杆,并沿第二杆的延伸方向延伸。
2.根据权利要求1所述的基板支撑单元,其中,所述射频电极设置在所述加热器上。
3.根据权利要求1所述的基板支撑单元,其中,所述射频电极具有与所述基板的形状相对应的形状。
4.根据权利要求1所述的基板支撑单元,还包括:绝缘材料,该绝缘材料设置在所述加热器和所述射频电极之间。
5.根据权利要求1所述的基板支撑单元,还包括:第一绝缘构件,该第一绝缘构件设置在所述第二杆和所述射频屏蔽之间。
6.根据权利要求1所述的基板支撑单元,其中,所述射频屏蔽被构造成阻止流过所述第二杆的射频电流对流过所述第一杆的信号的影响。
7.根据权利要求1所述的基板支撑单元,还包括:
插座,该插座被构造为将第二杆连接至等离子体生成单元;
接地支架,该接地支架被构造为将射频屏蔽接地;和
第二绝缘构件,该第二绝缘构件设置在插座和接地支架之间。
8.根据权利要求7所述的基板支撑单元,还包括:
固定单元,该固定单元被构造为固定所述射频屏蔽的位置;和
主体,该主体被构造为围绕并支撑所述固定单元;
其中,主体与射频屏蔽和接地支架间隔开。
9.根据权利要求8所述的基板支撑单元,其中,所述固定单元包括与所述射频屏蔽的上部接触的上固定单元,以及与所述射频屏蔽的下部接触的下固定单元;
其中,下固定单元的一部分被构造成完全围绕射频屏蔽的圆周,下固定单元的另一部分被构造成部分地围绕射频屏蔽的圆周,并且在不被下固定单元围绕的部分中形成间隙。
10.根据权利要求7所述的基板支撑单元,其中,所述接地支架包括:
在与第二杆的延伸方向相同的方向上延伸的第一部分;和
在与第二杆的延伸方向不同的方向上延伸的第二部分,
其中第一部分连接到射频屏蔽,和
其中第二部分接地。
11.根据权利要求10所述的基板支撑单元,其中,所述射频屏蔽的内直径与所述第二杆的直径之间的差与所述第一部分的厚度和第二绝缘构件的厚度之和相同。
12.根据权利要求1所述的基板支撑单元,还包括:电力供应单元,该电力供应单元连接至所述第一杆并且被构造为向所述加热器供电。
13.根据权利要求12所述的基板支撑单元,还包括:第一低通滤波器,该第一低通滤波器设置在所述第一杆和所述电力供应单元之间。
14.根据权利要求13所述的基板支撑单元,其中,所述第一低通滤波器被构造为使具有低于由等离子体生成单元生成的射频功率的频率的频带的信号通过。
15.根据权利要求11所述的基板支撑单元,还包括:
连接到加热器的热电偶;和
温度控制单元,该温度控制单元被构造为从热电偶接收电信号并控制电力供应单元。
16.根据权利要求15所述的基板支撑单元,还包括:第二低通滤波器,该第二低通滤波器电连接到所述热电偶并且被构造为阻止在输送到所述温度控制单元的信号中的由等离子体生成单元生成的射频功率的频带的信号。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的