[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括在第一方向上延伸的有源图案；

装置隔离层，位于基底上，装置隔离层限定有源图案；

第一栅极结构，位于有源图案和装置隔离层上，第一栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；

层间绝缘层，位于装置隔离层上，并且层间绝缘层的至少一部分的顶表面与第一栅极结构的顶表面在同一水平面，以及

栅极接触件，连接到第一栅极结构，

其中，整个栅极接触件与装置隔离层竖直叠置，

其中，栅极接触件包括沿着第一栅极结构的一个侧壁朝向装置隔离层竖直延伸的竖直延伸部分，并且

其中，竖直延伸部分的底表面与装置隔离层的顶表面分隔开，并且层间绝缘层位于竖直延伸部分的底表面与装置隔离层的顶表面之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，装置隔离层覆盖有源图案的下部的侧壁，并且

其中，有源图案的上部相对于装置隔离层的顶表面竖直突出。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极接触件包括：

第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触；以及

第二子接触件，提供其上设置有过孔的接触区域，

其中，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面相同的水平面处，并且

其中，第一子接触件包括竖直延伸部分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，当在平面图中观看时，第一子接触件在第一方向上延伸，并且

其中，当在平面图中观看时，第二子接触件在第二方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极接触件的上部在第一方向上具有第一宽度，

其中，栅极接触件的中部在第一方向上具有第二宽度，

其中，竖直延伸部分在第一方向上具有第三宽度，

其中，栅极接触件的中部竖直插置在栅极接触件的上部和竖直延伸部分之间，

其中，第一宽度大于第二宽度，并且

其中，第二宽度大于第三宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，所述半导体装置还包括电连接到有源图案的源极/漏极接触件，

其中，栅极接触件的上部的底部位于与源极/漏极接触件的底表面基本相同的水平面处。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

过孔，位于栅极接触件上；以及

导电线，位于过孔上并且通过过孔和栅极接触件电连接到第一栅极结构。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括与第一栅极结构相邻并且沿第二方向延伸的第二栅极结构，

其中，当在平面图中观看时，竖直延伸部分位于第一栅极结构和第二栅极结构之间。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括覆盖第一栅极结构的顶表面的覆盖层，

其中，栅极接触件穿过覆盖层以接触第一栅极结构，并且

其中，竖直延伸部分的底表面位于比覆盖层的底表面低的水平面处。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括围绕栅极接触件的侧壁和底表面的阻挡层，

其中，阻挡层的一部分在栅极接触件和第一栅极结构之间。