[发明专利]基片处理系统和处理流体供给方法

说明书

本发明提供一种基片处理系统和处理流体供给方法。本发明的一方式的基片处理系统中的处理流体供给装置包括：循环通路；气体供给通路；设置在循环通路中，对气体状态的处理流体进行冷却以生成液体状态的处理流体的冷却部；设置在循环通路中的冷却部的下游侧的泵；与循环通路中的泵的下游侧连接，使液体状态的处理流体从分支部分支的分支通路；设置在分支部的下游侧，对液体状态的处理流体进行加热以生成超临界状态的处理流体的加热部；设置在循环通路中的加热部的下游侧且气体供给通路的上游侧，对超临界状态的处理流体进行减压以生成气体状态的处理流体的调压部。由此，能够在将液体状态的处理流体由泵送出时降低由上述泵产生的脉动的影响。

技术领域

本发明的实施方式涉及基片处理系统和处理流体供给方法。

背景技术

一直以来，已知有基片处理装置，其在作为基片的半导体晶片(以下，称为晶片。)等的表面形成防干燥用的液膜，使形成了该液膜的晶片与超临界状态的处理流体接触来对该晶片进行干燥处理(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-251547号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种技术，其能够在用泵将液体状态的处理流体送出时，降低由上述泵产生的脉动的影响。

用于解决技术问题的技术手段

本发明的一方式的基片处理系统包括：利用处理流体对基片进行处理的基片处理装置；和对所述基片处理装置供给所述处理流体的处理流体供给装置。所述处理流体供给装置包括循环通路、气体供给通路、冷却部、泵、分支通路、加热部和调压部。循环通路使所述处理流体循环。气体供给通路将气体状态的所述处理流体供给到所述循环通路。冷却部设置在所述循环通路，对气体状态的所述处理流体进行冷却以生成液体状态的所述处理流体。泵设置在所述循环通路中的所述冷却部的下游侧。分支通路与所述循环通路中的所述泵的下游侧连接，使液体状态的所述处理流体从分支部分支。加热部设置在所述分支部的下游侧，对液体状态的所述处理流体进行加热以生成超临界状态的所述处理流体。调压部设置在所述循环通路中的所述加热部的下游侧且所述气体供给通路的上游侧，对超临界状态的所述处理流体进行减压以生成气体状态的所述处理流体。

发明效果

依照本发明，能够在用泵将液体状态的处理流体送出时，降低由上述泵产生的脉动的影响。

附图说明

图1是表示实施方式的基片处理装置的结构例的图。

图2是表示实施方式的液处理单元的结构例的图。

图3是表示实施方式的干燥单元的结构例的示意立体图。

图4是表示实施方式的基片处理系统的系统整体的结构例的图。

图5是表示实施方式的循环通路的循环压和干燥单元的内压的推移的图。

图6是用于说明实施方式的基片处理系统的待机处理的图。

图7是用于说明实施方式的基片处理系统的升压处理和保持处理的图。

图8是用于说明实施方式的基片处理系统的流通处理的图。

图9是用于说明，实施方式的基片处理系统的减压处理的图。

图10是用于说明实施方式的变形例的基片处理系统的升压处理和保持处理的图。

图11是用于说明实施方式的变形例的基片处理系统的流通处理的图。

图12是表示实施方式的处理流体供给处理的处理顺序的流程图。