[发明专利]基片处理系统和处理流体供给方法

权利要求书

1.一种基片处理系统，其特征在于，包括：

利用处理流体来对基片进行处理的基片处理装置；和

对所述基片处理装置供给所述处理流体的处理流体供给装置，

所述处理流体供给装置包括：

使所述处理流体循环的循环通路；

将气体状态的所述处理流体供给到所述循环通路的气体供给通路；

冷却部，其设置在所述循环通路中，对气体状态的所述处理流体进行冷却以生成液体状态的所述处理流体；

泵，其设置在所述循环通路中的所述冷却部的下游侧；

分支通路，其与所述循环通路中的所述泵的下游侧连接，使液体状态的所述处理流体从分支部分支；

加热部，其设置在所述分支部的下游侧，对液体状态的所述处理流体进行加热以生成超临界状态的所述处理流体；和

调压部，其设置在所述循环通路中的所述加热部的下游侧且所述气体供给通路的上游侧，对超临界状态的所述处理流体进行减压以生成气体状态的所述处理流体。

2.如权利要求1所述的基片处理系统，其特征在于：

所述处理流体供给装置还包括过滤器，所述过滤器设置在所述循环通路中的所述气体供给通路与所述冷却部之间，对气体状态的所述处理流体进行过滤。

3.如权利要求1或2所述的基片处理系统，其特征在于：

所述处理流体供给装置从所述分支通路将液体状态的所述处理流体供给到所述基片处理装置。

4.如权利要求3所述的基片处理系统，其特征在于，

所述基片处理装置包括：

对液体状态的所述处理流体进行加热以生成超临界状态的所述处理流体的其他加热部；和

利用从所述其他加热部供给的超临界状态的所述处理流体，对所述基片进行处理的基片处理部。

5.如权利要求4所述的基片处理系统，其特征在于：

所述基片处理部内的超临界状态的所述处理流体为90℃以上。

6.如权利要求4或5所述的基片处理系统，其特征在于：

由所述其他加热部生成的超临界状态的所述处理流体的温度高于所述基片处理部内的所述处理流体的温度。

7.一种处理流体供给方法，其特征在于，包括：

对循环通路供给气体状态的处理流体的步骤；

在所述循环通路中对气体状态的所述处理流体进行冷却，生成液体状态的所述处理流体的步骤；

使液体状态的所述处理流体从所述循环通路分支到分支通路的步骤；和

在所述循环通路中对液体状态的所述处理流体进行加热，生成超临界状态的所述处理流体的步骤。