[发明专利]半导体系统在审
申请号: | 201910898498.0 | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN111414324A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 李釉钟;郭康燮;尹荣俊 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 系统 | ||
1.一种半导体系统,包括:
控制器,其被配置为输出时钟信号、芯片选择信号、以及命令和地址信号即命令/地址信号,所述控制器包括在读取操作期间被接通的控制器终端电路,并且被配置为:在所述读取操作期间,经由与所述控制器终端电路耦接的输入/输出I/O线来接收第一数据,并且所述控制器被配置为:在写入操作期间,经由与被关断的所述控制器终端电路耦接的所述输入/输出I/O线来输出第二数据;以及
半导体器件,其包括被配置为在所述读取操作期间被关断的内部终端电路,所述半导体器件被配置为:在所述读取操作期间,基于所述芯片选择信号和所述命令/地址信号,经由与所述内部终端电路耦接的所述输入/输出I/O线而输出所述第一数据,并且所述半导体器件被配置为:在所述写入操作期间,储存经由与被接通的所述内部终端电路耦接的所述输入/输出I/O线而输入的所述第二数据。
2.如权利要求1所述的半导体系统,
其中,在所述读取操作期间,所述控制器终端电路的驱动能力被调整为与所述输入/输出I/O线的电阻值相匹配;以及
其中,在所述写入操作期间,所述内部终端电路的驱动能力被调整为与所述输入/输出I/O线的电阻值相匹配。
3.如权利要求1所述的半导体系统,其中,在模式寄存器写入操作期间,所述控制器通过所述命令/地址信号来输出关于所述输入/输出I/O线的电阻值的信息。
4.如权利要求1所述的半导体系统,其中,所述半导体器件包括:
内部I/O电路,其被配置为:与所述时钟信号同步,以基于所述芯片选择信号和所述命令/地址信号而在所述写入操作期间从所述第二数据产生内部数据,基于所述芯片选择信号和所述命令/地址信号而在所述读取操作期间从所述内部数据产生所述第一数据,以及基于所述芯片选择信号和所述命令/地址信号来产生用于调整驱动所述输入/输出I/O线的驱动能力的上拉驱动信号和下拉驱动信号;
内部终端电路,其被配置为:在所述写入操作期间,利用基于所述上拉驱动信号和所述下拉驱动信号而调整的所述驱动能力来驱动所述输入/输出I/O线;以及
存储电路,其被配置为在所述写入操作期间储存所述内部数据,并且被配置为在所述读取操作期间输出储存的所述内部数据。
5.如权利要求4所述的半导体系统,
其中,所述内部I/O电路被配置为:在模式寄存器写入操作期间,储存关于所述输入/输出I/O线的电阻值的信息,所述信息是通过所述命令/地址信号而输入的;以及
其中,所述内部I/O电路被配置为:在模式寄存器读取操作期间,输出关于所述输入/输出I/O线的电阻值的信息。
6.如权利要求4所述的半导体系统,其中,所述内部I/O电路包括:
输入缓冲器,其被配置为与所述时钟信号同步以产生内部时钟信号,被配置为与所述时钟信号同步以从所述芯片选择信号产生内部芯片选择信号,并且被配置为与所述时钟信号同步以从所述命令/地址信号产生内部命令/地址信号;
脉冲发生电路,其被配置为基于所述内部芯片选择信号和所述内部命令/地址信号的逻辑电平组合来产生在所述写入操作期间被使能的写入标志信号,并且被配置为基于所述内部芯片选择信号和所述内部命令/地址信号的逻辑电平组合来产生在所述读取操作期间被使能的读取标志信号;
I/O控制电路,其被配置为:在所述写入操作期间,基于所述写入标志信号,从关于所述输入/输出I/O线的电阻值的信息产生上拉控制信号和下拉控制信号,并且被配置为:在所述写入操作期间,基于所述内部命令/地址信号来产生数据使能信号;
驱动信号发生电路,其被配置为:接收所述第二数据,以从所述上拉控制信号和所述下拉控制信号产生所述上拉驱动信号和所述下拉驱动信号;以及
驱动器,其被配置为:在所述读取操作期间,从所述内部数据产生所述第一数据,并且被配置为:在所述写入操作期间,当所述数据使能信号被输入时,从所述第二数据产生所述内部数据。
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