[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

此处公开半导体装置的形成方法，特别是半导体装置中的浅沟槽隔离结构与其形成方法。在一实施例中，方法可包括形成沟槽于基板中；沉积第一介电衬垫层于沟槽中；沉积一第一浅沟槽隔离材料于第一介电衬垫层上，其中第一浅沟槽隔离材料沉积为顺应层；蚀刻第一浅沟槽隔离材料；沉积第二浅沟槽隔离材料于第一浅沟槽隔离材料上，其中第二浅沟槽隔离材料沉积为可流动的材料；以及平坦化第二浅沟槽隔离材料，使第二浅沟槽隔离材料的上表面与基板的上表面共平面。

技术领域

本发明实施例涉及半导体装置，更特别涉及浅沟槽隔离结构。

背景技术

半导体装置用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为按序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，再采用微影以图案化多种材料层以形成电路构件与单元于半导体基板上。

半导体产业持续缩小最小结构尺寸，以持续改良多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)的集成密度，以将更多构件整合至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，也产生需解决的额外问题。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：形成沟槽于基板中；沉积第一介电衬垫层于沟槽中；沉积第一浅沟槽隔离材料于第一介电衬垫层上，其中第一浅沟槽隔离材料沉积为顺应层；蚀刻第一浅沟槽隔离材料；沉积第二浅沟槽隔离材料于第一浅沟槽隔离材料上，其中第二浅沟槽隔离材料沉积为可流动的材料；以及平坦化第二浅沟槽隔离材料，使第二浅沟槽隔离材料的上表面与基板的上表面共平面。

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：形成第一沟槽于一鳍状物的第一侧上，且鳍状物自基板延伸；形成第二沟槽于该鳍状物的第二侧上，且第二侧与第一侧对向；沉积第一介电衬垫层于第一沟槽、第二沟槽、与鳍状物上；沉积第一浅沟槽隔离材料于第一介电衬垫层上；在沉积第一浅沟槽隔离材料之后，形成虚置鳍状物于第一浅沟槽隔离材料上；蚀刻第一衬垫层与第一浅沟槽隔离材料；以及沉积第二浅沟槽隔离材料于第一浅沟槽隔离材料上。

本发明一实施例提供的半导体装置，包括：鳍状物，自半导体基板延伸；第一隔离区，位于鳍状物的第一侧上；以及第二隔离区，位于鳍状物的第二侧上，且第一侧与第二侧对向，其中第一隔离区与第二隔离区包括第一衬垫层、第一隔离材料于第一衬垫层上、与第二隔离材料于第一隔离材料上，其中第一隔离区中的第一隔离材料的上表面与第二隔离区中的第一隔离材料的上表面不等高，且其中第一隔离区中的第二隔离材料的上表面与第二隔离区中的第二隔离材料的上表面等高。

附图说明

图1是一些实施例中，鳍状场效晶体管的三维图。

图2是一些实施例中，半导体基板的剖视图。

图3是一些实施例中，形成沟槽的剖视图。

图4是一些实施例中，形成衬垫层的剖视图。

图5是一些实施例中，形成浅沟槽隔离材料的剖视图。

图6是一些实施例中，形成衬垫层的剖视图。

图7是一些实施例中，形成虚置鳍状物材料的剖视图。

图8是一些实施例中，平坦化鳍状物与衬垫层的剖视图。

图9是一些实施例中，形成凹陷的剖视图。

图10是一些实施例中，形成衬垫层的剖视图。

图11是一些实施例中，形成浅沟槽隔离材料的剖视图。

图12是一些实施例中，平坦化虚置鳍状物与浅沟槽隔离材料的剖视图。

图13是一些实施例中，形成凹陷的剖视图。

图14是一些实施例中，形成虚置介电层与虚置栅极层的剖视图。