[发明专利]一种闪存存储器及其编程方法、编程系统和存储器系统

说明书

本发明提供了一种闪存存储器及其编程方法、编程系统和存储器系统，包括：获得与存储单元对应的第一电压区间；将存储单元的电压提升到对应的第一电压区间内；获得2^N‑1个第一电压区间及其对应的第二编程数据；根据第三编程数据、第二编程数据获得与存储单元对应的第二电压区间，第二电压区间组包括2^N个第二电压区间；将存储单元的电压提升到对应的第二电压区间内。由于第i个第二电压区间与第i个第一电压区间相同，第i个第一电压区间与第i+1个第一电压区间阈值的差值小于第一预设值，第i+1个第一电压区间与第i+2个第一电压区间阈值的差值大于第二预设值，因此，可以在保证数据准确性的基础上，保证存储器以及系统的数据处理能力。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，更具体地说，涉及一种闪存存储器及其编程方法、编程系统和存储器系统。

背景技术

现有的闪存存储器包括多个存储单元，每个存储单元的状态又包括编程状态和擦除状态。其中，对存储单元进行编程即是将存储单元的擦除状态编程至编程状态。具体编程方法为：通过施加编程脉冲将电荷注入到存储单元的栅极，来将与待存储的数据对应的电压区间内的电压施加到存储单元的栅极和源极之间。

闪存存储器中的存储单元包括单电平存储单元(SLC)和多电平存储单元(MLC)，每个单电平存储单元仅能存储1个bit的数据，而每个多电平存储单元能够存储多个bit的数据。由于具有多电平存储单元的闪存存储器的存储容量更大、成本更低，因此，具有多电平存储单元的闪存存储器的应用更为广泛。

现有技术中，可以通过多个编程遍对多电平存储单元进行编程，以提高数据的准确性。例如，通过第一个编程遍对一组存储单元中的一个或多个较低页/位进行编程，通过一个或多个后续编程遍对同一组存储单元中的较高页/位进行编程。但是，现有的采用多个编程遍的编程方法，不能在保证存储单元存储数据准确性的同时，保证闪存存储器以及存储器系统的数据处理能力。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种闪存存储器及其编程方法、编程系统和存储器系统，以在保证存储单元存储数据准确性的同时，保证闪存存储器以及存储器系统的数据处理能力。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种闪存存储器的编程方法，包括：

接收第一编程数据，根据所述第一编程数据以及第一电压区间组获得与任一存储单元对应的第一电压区间，所述第一电压区间组包括2^N个第一电压区间；

将所述存储单元的电压提升到对应的所述第一电压区间内；

接收读取指令，根据所述读取指令读出所述存储单元的电压，获得2^N-1个第一电压区间及其对应的第二编程数据；

接收第三编程数据，根据所述第三编程数据以及所述第二编程数据获得第四编程数据，根据所述第四编程数据以及第二电压区间组获得与所述存储单元对应的第二电压区间，所述第二电压区间组包括2^N个第二电压区间；

将所述存储单元的电压提升到对应的所述第二电压区间内；

其中，第i个第一电压区间与第i+1个第一电压区间的阈值的差值小于第一预设值，第i+1个第一电压区间与第i+2个第一电压区间的阈值的差值大于第二预设值，以便根据读出的电压获得2^N-1个第一电压区间；

第i个第二电压区间与第i个第一电压区间相同，并且，任意两个第二电压区间的阈值的差值都大于第三预设值，所述第二预设值大于所述第三预设值，所述第三预设值大于所述第一预设值，i＝1、3、5…2^N-1，i+1≤i+2≤2^N，N为大于0的整数。

可选地，N等于4。