[发明专利]微型半导体芯片、微型半导体元件结构、以及显示元件

权利要求书

1.一种微型半导体芯片，其特征在于，包括：

磊晶层，具有上表面、下表面、以及侧表面，其中所述上表面以及下表面系相对设置，以及所述侧表面连接所述上表面及所述下表面；

第一电极及第二电极，设置于所述下表面；以及

侧导光单元设置于所述磊晶层的侧表面，其中所述侧导光单元包括连接部及延伸部，其中所述连接部与部分所述延伸部接触，且所述延伸部向外延伸以远离所述侧表面，其中所述延伸部具有上表面及下表面，其中包括所述延伸部上表面的平面与包括所述磊晶层上表面的平面形成锐角θ1，其中，在出光方向上，所述磊晶层上表面高于所述侧导光单元，且所述侧导光单元的延伸部与所述磊晶层上表面在所述出光方向上具有最小距离D1，所述最小距离D1与所述磊晶层在所述出光方向的最大高度L的比D1/L为0.01至0.5。

2.根据权利要求1所述微型半导体芯片，其中所述侧导光单元具有折射率大于1、并小于或等于所述磊晶层的折射率。

3.根据权利要求1所述微型半导体芯片，其中所述包括所述延伸部上表面的平面与包括所述延伸部下表面的平面互相平行。

4.根据权利要求1所述微型半导体芯片，其中包括所述延伸部下表面的平面与所述包括所述磊晶层上表面的平面之间形成锐角θ2，且锐角θ1的角度不等于锐角θ2的角度。

5.根据权利要求1所述微型半导体芯片，其中所述侧导光单元在所述出光方向的最大高度L1与所述磊晶层在所述出光方向的最大高度L的比L1/L为0.1至0.8。

6.根据权利要求1所述微型半导体芯片，其中所述侧导光单元的连接部在所述出光方向的最大高度L3与侧导光单元的延伸部在所述出光方向的最大高度L2的比L3/L2大于等于0.1且小于1。

7.根据权利要求1所述微型半导体芯片，还包括绝缘层设置于所述磊晶层的侧表面上，其中所述侧导光单元通过所述绝缘层设置于所述磊晶层的侧表面。

8.根据权利要求7所述微型半导体芯片，其中所述连接部与所述绝缘层直接接触，且所述连接部与所述绝缘层间的界面的面积为S2，而所述侧导光单元对所述绝缘层的正投影的面积为S1，其中S2/S1为0.1至0.8。

9.根据权利要求7所述微型半导体芯片，其中所述连接部及所述延伸部之间的界面与所述磊晶层的上表面垂直，且所述界面对所述包括所述磊晶层上表面的平面的正投影为一线段，其中所述线段与所述绝缘层对包括所述磊晶层上表面的平面的正投影的边缘重叠。

10.根据权利要求9所述微型半导体芯片，其中在一剖面中，所述侧导光单元的部分延伸部与所述绝缘层之间以空间相隔。

11.根据权利要求9所述微型半导体芯片，其中在一剖面中，所述连接部的最大水平宽度W2与所述延伸部的最大水平宽度W1的比W2/W1为0.01至0.5。

12.根据权利要求1所述微型半导体芯片，还包括：

上导光单元，配置于所述磊晶层的上表面。

13.根据权利要求12所述微型半导体芯片，其中所述上导光单元在出光方向侧具有至少一弧面。