[发明专利]一种显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201910868987.1 | 申请日: | 2019-09-16 |
公开(公告)号: | CN110600517B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 肖辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
设置于所述基板上的缓冲层;
设置于所述缓冲层上的有源层;
层叠设置于所述有源层上的栅极绝缘层以及栅极金属层;
设置于所述缓冲层上且覆盖所述栅极金属层的层间介质层;
设置于所述层间介质层上的第二金属层;
层叠设置于所述层间介质层上的钝化层和平坦层;
层叠设置于所述平坦层上的阳极金属层、发光层和阴极金属层;
其中,所述有源层包括导电且透明的第一极板,所述第一极板上设置有介电层,所述介电层上设置有第二极板,所述第二极板的制成材料为透明导电材料;
所述有源层还包括与所述第一极板相互独立的有源岛,所述有源岛包括导体层以及与所述栅极绝缘层对应并接触的半导体层,所述导体层上设置有保护层,所述第二金属层包括源漏金属层,所述源漏金属层穿过所述保护层与所述导体层接触连接;所述栅极金属层上也设置有覆盖所述栅极金属层的保护层,所述介电层和所述保护层的制成材料均为三氧化二铝。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二极板的制成材料为铟锡氧化物。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述平坦层上设置有延伸至第一极板处的开孔,所述第二极板位于所述开孔中。
4.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10、在基板上形成缓冲层;
S20、利用铟镓锌氧化物在所述缓冲层上形成图案化的有源层,所述有源层包括有源岛和与所述有源岛相互独立的第一极板;
S30、在所述有源岛上依次层叠形成栅极绝缘层和栅极金属层;
S40、对有源岛露出所述栅极绝缘层的部分进行导体化,形成导体层,同时对所述第一极板进行导体化,并形成覆盖所述导体层的保护层以及覆盖所述第一极板的介电层,所述介电层的制成材料为三氧化二铝;
S50、形成覆盖所述有源层以及所述栅极金属层的层间介质层;
S60、在所述层间介质层上形成第二金属层,并对所述第二金属层进行图案化处理,以形成与所述导体层接触连接的源漏金属层;
S70、在所述层间介质层上层叠形成钝化层以及平坦层;
S80、利用铟锡氧化物在所述平坦层上形成与所述源漏金属层接触连接的阳极金属层,同时在所述介电层上形成第二极板,以与所述第一极板形成存储电容;
S90、在所述阳极金属层上形成发光层和阴极金属层;
所述步骤S40包括:
S41、在所述第一极板以及所述有源岛露出所述栅极绝缘层的部分上由铝或/和氧化铝形成薄膜;
S42、在有氧的环境中对薄膜进行热退火,使铝分子扩散到所述第一极板以及所述有源岛露出所述栅极绝缘层的部分中,以使有源岛露出所述栅极绝缘层的部分形成导体层,并且形成导电且透明的第一极板,同时有源层中的氧原子扩散到薄膜中,以形成覆盖所述导体层的保护层以及覆盖所述第一极板的介电层。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述导体层上形成保护层的同时,在所述栅极金属层上也形成保护层。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤S80包括:
S81、在所述平坦层上形成延伸至所述源漏金属层表面的孔洞以及延伸至介电层处的开孔;
S82、利用铟锡氧化物在所述平坦层上形成填充所述孔洞的阳极金属层,同时在所述开孔中形成位于所述介电层上的第二极板,以与所述第一极板形成存储电容。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910868987.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的