[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201910857386.0 申请日: 2019-09-10
公开(公告)号: CN111326501A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 姜允熙;闵丙国;金时经;宋旼友;黄载善 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;B82Y40/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 潘军
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【说明书】:

公开了一种半导体封装,包括:衬底;衬底上的半导体芯片;衬底上的模塑层,覆盖半导体芯片;以及模塑层上的屏蔽层。屏蔽层包括聚合物,在聚合物中分布有多个导电结构和多个纳米结构,其中,导电结构中的至少一些彼此连接。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月17日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2018-0163464的优先权,其全部公开通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体封装,更具体地涉及一种包括屏蔽层的半导体封装。

背景技术

提供半导体封装以实现用以有资格用于电子产品中的集成电路芯片。半导体封装通常被配置为使得半导体芯片安装在印刷电路板(PCB)上,并且接合线或隆起焊盘用于将半导体芯片电连接到PCB。在检查包括半导体芯片的半导体封装时,在半导体封装和其他电子设备之间可能发生电磁干扰。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了具有改善的可靠性的半导体封装。

本发明构思的目的不限于上述内容,并且从以下描述中,本领域技术人员将清楚地理解上面未提及的其他目的。

根据一些示例实施例,提供了一种半导体封装,其可以包括:衬底;衬底上的存储器芯片;衬底上的模塑层,覆盖半导体芯片;以及模塑层上的屏蔽层。屏蔽层可以包括聚合物,在聚合物中分布有多个导电结构和多个纳米结构,其中,导电结构中的至少一些彼此连接。

根据一些示例实施例,提供了一种半导体封装,其可以包括:衬底;衬底上的存储器芯片;衬底上的模塑层,覆盖半导体芯片;以及模塑层上的屏蔽层。屏蔽层可以包括多个电磁波屏蔽结构和多个X射线屏蔽结构。

根据一些示例实施例,提供了一种半导体封装,其可以包括:衬底;所述衬底上的存储器芯片;模塑层,在衬底上,并且覆盖所述半导体芯片;以及模塑层上的屏蔽层。屏蔽层可以包括:彼此连接的多个导电结构;以及屏蔽层中的多个第一纳米结构。第一纳米结构可以包括半导体材料。

附图说明

图1A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装的平面图。

图1B图示了沿图1A的线A-B截取的横截面图。

图1C图示了示出图1B的部分C的放大图。

图1D图示了示出根据一些示例实施例的屏蔽层的横截面图。

图1E图示了示出根据一些示例实施例的屏蔽层的横截面图。

图2A图示了示出根据一些示例实施例的屏蔽层的横截面图。

图2B图示了示出根据一些示例实施例的屏蔽层的横截面图。

图2C图示了示出根据一些示例实施例的屏蔽层的横截面图。

图3A至图3B图示了示出根据一些示例实施例的制造半导体封装的方法的横截面图。

图3C图示了示出图3B的部分C的放大图。

图4A图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装的横截面图。

图4B图示了示出根据一些示例实施例的半导体封装的横截面图。

具体实施方式

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