[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910857386.0 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN111326501A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 姜允熙;闵丙国;金时经;宋旼友;黄载善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体封装，包括：
衬底；
所述衬底上的半导体芯片；
所述衬底上的模塑层，覆盖所述半导体芯片；以及
所述模塑层上的屏蔽层，
其中，所述屏蔽层包括聚合物，在所述聚合物中分布有多个导电结构和多个纳米结构，并且
其中，所述导电结构中的至少一些彼此连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导电结构被配置为屏蔽电磁波，并且
其中，所述纳米结构被配置为屏蔽X射线。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述纳米结构包括半导体材料。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述纳米结构与所述导电结构间隔开。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述纳米结构的量小于所述导电结构的量。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述纳米结构的平均直径小于所述导电结构的最小直径的平均值。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述纳米结构包括纳米颗粒和/或纳米线。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述衬底包括暴露在所述衬底的一个表面上的接地结构，
其中，所述衬底的一个表面的至少一部分被所述屏蔽层覆盖，并且
其中，所述屏蔽层连接到所述接地结构。
9.一种半导体封装，包括：
衬底；
所述衬底上的半导体芯片；
所述衬底上的模塑层，覆盖所述半导体芯片；以及
所述模塑层上的屏蔽层，
其中，所述屏蔽层包括多个电磁波屏蔽结构和多个X射线屏蔽结构。
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述电磁波屏蔽结构彼此连接，并且
其中，所述X射线屏蔽结构分布在所述屏蔽层中。
11.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述电磁波屏蔽结构包括金属或金属氧化物，并且
其中，所述X射线屏蔽结构包括半导体材料。
12.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述X射线屏蔽结构包括：
多个第一纳米结构，被配置为屏蔽具有第一能量的X射线；以及
多个第二纳米结构，被配置为屏蔽具有不同于所述第一能量的第二能量的X射线。
13.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述X射线屏蔽结构的量小于所述电磁波屏蔽结构的量，并且
其中，所述X射线屏蔽结构的平均直径小于所述电磁波屏蔽结构的最小直径的平均值。
14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中，所述X射线屏蔽结构的电阻大于所述电磁波屏蔽结构的电阻。
15.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述X射线屏蔽结构包括纳米颗粒和/或纳米线。
16.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述X射线屏蔽结构包括金属或金属氧化物。
17.一种半导体封装，包括：
衬底；
所述衬底上的半导体芯片；
所述衬底上的模塑层，覆盖所述半导体芯片；以及
所述模塑层上的屏蔽层，包括：
彼此连接的多个导电结构；以及
所述屏蔽层中的多个第一纳米结构，包括半导体材料。
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