[发明专利]元件基板、显示面板以及它们的制造方法在审
申请号: | 201910801119.1 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110931503A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 北川英树;原义仁;前田昌纪;川崎达也;平田义晴;今井元;大东彻 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/136;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 显示 面板 以及 它们 制造 方法 | ||
一种元件基板、显示面板以及它们的制造方法,得到可靠性优异的元件基板和显示面板。构成显示面板(10)的元件基板(30)具备:导电膜(31);绝缘膜(32),其设置在导电膜(31)的上层,覆盖其侧面和上表面;以及透明电极膜(37),其设置在绝缘膜(32)的上层,在元件基板(30)中,以包含电极部(55)和覆盖部(56)的方式形成透明电极膜(37),电极部(55)与导电膜(31)电连接而构成电极,覆盖部(56)与电极部(55)分开设置,与导电膜(31)和电极部(55)电绝缘,并且与导电膜(31)和覆盖导电膜(31)的绝缘膜(32)重叠。
技术领域
通过本说明书所公开的技术涉及元件基板、显示面板以及它们的制造方法。
背景技术
已知在相对配置的一对基板之间密封有液晶等电光物质的构成的显示面板。其中一个基板被设为元件基板,至少具备作为开关元件发挥功能的TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶体管)、以及隔着绝缘膜配置在比TFT靠上层侧的像素电极。在元件基板的显示区域内,包括栅极配线和源极配线的信号线设置为格子状,在各信号线的交叉部配置TFT,在由各信号线包围的格子内配置像素电极,从而形成了作为显示单位的像素。TFT构成为具有:包括导电膜的栅极电极和源极电极,其连接到各信号线;包括导电膜的漏极电极,其连接到像素电极;以及包括半导体膜的沟道区域,其将源极电极与漏极电极之间连接。在这种显示面板中,当从外部供应到各信号线的电信号经由TFT在规定的定时传送到像素电极,电光物质被施加电场时,电光物质的光学特性会发生变化,而在显示区域内显示图像。
一般地,在元件基板或与元件基板相对配置的相对基板中的至少任意一个中,在非像素区域即例如栅极配线和源极配线的配设区域、以及与TFT的配设区域重叠的区域中配设遮光层。在要求显示图像的高清晰化和高亮度化的形势下,为了缩小遮光层的配设区域,提高开口率,优选使各配线等变细来减小TFT等的配设区域。但是,如果简单地使配线等变细,则可能会使导电电阻增大。为此,例如在下述专利文献1中公开了一种半导体装置,其为了使各配线低电阻化,由包含导电电阻小的铝(Al)的层叠膜形成了配线。
专利文献1:特开2005-317983号公报
发明内容
作为用于在不使开口率下降的情况下实现各配线等的低电阻化的其它方法,可以考虑使它们的厚度尺寸变大。例如,如果使形成TFT的栅极电极的栅极金属膜变厚,则能够使栅极电阻低电阻化。然而,如果栅极金属膜变厚,则由此形成的台阶会变大,覆盖栅极金属膜的侧面和上表面的栅极绝缘膜无法充分地追随台阶,有时会产生裂缝。形成在基板上的导电膜通常是其侧面和上表面被绝缘膜覆盖,因此,即使水分从元件基板的上方浸入,也会被绝缘膜阻挡,几乎不会到达导电膜。然而,如果在绝缘膜产生了裂缝,则水分很可能通过该裂缝而到达导电膜,给导电性能带来影响。例如,如果如上所述在栅极绝缘膜产生了裂缝,则有可能栅极电阻等发生变化而致使TFT不正常动作。此外,虽然为了不在绝缘膜产生裂缝,也可以考虑使绝缘膜的厚度尺寸变大,但如果使在基板上以几乎满面状形成的绝缘膜变厚,则有由绝缘膜产生的应力变大而产生基板翘曲等问题之虞。
本技术是基于上述这样的情况而完成的,其目的在于,提供一种抑制水分到达导电膜,可靠性优异的元件基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的