[发明专利]制造半导体装置的方法以及光刻胶

说明书

使用具有检测添加剂的光刻胶，以在显影后检查工艺期间帮助增大图像的对比度。所述检测添加剂在显影后检查工艺期间发荧光并增加在显影后检查工艺期间反射的能量，从而在显影后检查工艺期间增大对比度并帮助识别以其他方式无法检测到的缺陷。

技术领域

本公开涉及一种制造半导体装置的方法与光刻胶。

背景技术

由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，集成密度的这一提高是源自最小特征大小(minimum feature size)的连番减小(例如，朝向20nm节点以下(sub-20nm node)缩减半导体工艺节点)，而使更多的组件能够整合于所给定的区域中。随着近来对小型化、提高速度、增加频宽、降低功率损耗及缩短延迟的需求的增加，对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需要也随着增加。

随着半导体技术的进一步推进，经堆叠及接合的半导体装置已出现作为一种有效的替代选择，以进一步减小半导体装置的实体大小。在经堆叠的半导体装置中，例如逻辑、存储器、处理器电路等有源电路至少部分地在单独的衬底上制作后，然后再实体接合及电接合在一起以形成功能装置(functional device)。此种接合工艺利用精密的技术，且期望有所改进。

发明内容

根据一些实施例，制造半导体装置的方法包括：在半导体衬底之上施加光刻胶，所述光刻胶包含检测添加剂；对所述光刻胶进行曝光及显影；以及在对所述光刻胶进行显影之后检查所述光刻胶，其中所述检测添加剂在所述检查所述光刻胶期间发荧光。

根据一些实施例，制造半导体装置的方法包括：将光刻胶聚合物树脂放置在光刻胶溶剂中；将光酸产生剂放置在所述光刻胶溶剂中；将姜黄色素放置在所述光刻胶溶剂中；以及混合所述光刻胶聚合物树脂、所述光酸产生剂、所述姜黄色素以及所述光刻胶溶剂以形成光刻胶。

根据一些实施例，光刻胶包括：光刻胶聚合物树脂；光活性化合物；以及检测添加剂。所述检测添加剂在所述光刻胶内的浓度在0.01重量％与0.03重量％之间。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1根据一些实施例绘示穿孔的形成。

图2示出根据一些实施例的半导体装置。

图3根据一些实施例绘示放置半导体装置于穿孔之间。

图4根据一些实施例绘示包封的步骤。

图5根据一些实施例绘示光刻胶的设置。

图6根据一些实施例绘示对光刻胶进行成像。

图7示出根据一些实施例的显影工艺。

图8示出根据一些实施例的显影后检查工艺(after development inspectionprocess)。

图9根据一些实施例示出重布线层的形成。

图10示出根据一些实施例的剥离工艺。

图11根据一些实施例绘示第一封装的放置。

图12示出根据一些实施例的单体化(singulation)工艺。

具体实施方式