[发明专利]一种硅片处理装置和处理方法

说明书

本发明提供一种硅片处理装置和处理方法，处理装置包括：槽体，所述槽体内限定有用于盛装处理液的腔室；支架，所述支架设在所述腔室内以放置硅片；夹持机构，用于夹持所述硅片；液位计，用于检测所述腔室中的处理液的液位；控制机构，用于当排放所述槽体内的处理液且所述液位计检测到所述液位下降至第一液位时，控制所述夹持机构夹持所述硅片的露出处理液的部分并移动所述硅片脱离所述支架；当所述液位为所述第一液位时，所述硅片部分露出所述处理液且所述支架与所述硅片的接触部分未露出所述处理液。能够使得硅片与支架接触位置的水分顺利离开硅片表面，提高硅片的干燥效果，避免后续加工过程中产生水印的风险，提高硅片的加工质量。

技术领域

本发明涉及硅片加工领域，具体涉及一种硅片处理装置和处理方法。

背景技术

随着半导体元件的日益精细化，硅片清洗工艺也要求越来越严格，在清洗工艺的末端会有干燥的步骤，防止因水分吸附空气中的其它微粒而导致污染，干燥的方式最初的是甩干机干燥，此种方式因为会有机械运动，所以带来很大的颗粒沾污，在12寸硅片清洗工艺中不会采用，还有一种红外加热的方式，此种模式因无机械运动，过程不会引入沾污，是一种被广泛使用的方式。还有一种干燥方式，利用水的表面张力和自由能，在水面缓慢下降过程中绝大部分水分会跟随液面同时下降，从而达到硅片表面干燥的作用。水槽中有两个或三个硅片的支撑架，支撑架和硅片接触，在液面下降过程中，硅片与槽内支架位置的水分不能够顺利的离开硅片表面，在后续加工过程中，硅片表面的此部分存在有水分，此位置水分存留时间过长，当硅片后续运动轨迹中有化学气氛或者洁净度不理想时，就会有产生水印的风险，影响硅片的加工质量。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种硅片处理装置和处理方法，用以解决在硅片与支架接触位置的水分不能顺利离开硅片表面，导致硅片的干燥效果差，后续加工硅片过程中易产生水印的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

第一方面，根据本发明实施例的硅片处理装置，包括：

槽体，所述槽体内限定有用于盛装处理液的腔室；

支架，所述支架设在所述腔室内以放置硅片；

夹持机构，用于夹持所述硅片；

液位计，用于检测所述腔室中的处理液的液位；

控制机构，用于当排放所述槽体内的处理液且所述液位计检测到所述液位下降至第一液位时，控制所述夹持机构夹持所述硅片的露出处理液的部分并移动所述硅片脱离所述支架；

其中，当所述液位为所述第一液位时，所述硅片部分露出所述处理液且所述支架与所述硅片的接触部分未露出所述处理液。

其中，所述槽体上设有用于排放所述腔室中处理液的排放结构。

其中，所述槽体的底部设有与所述腔室连通的排放口以用于排放所述腔室中的处理液。

其中，所述控制机构，用于当所述液位计检测到所述液位下降至所述第一液位时，控制所述排放结构停止排放处理液，且控制所述夹持机构夹持所述硅片的露出处理液的部分并沿竖直方向移动所述硅片脱离所述支架。

其中，所述控制机构，用于当所述液位计检测到所述液位下降至所述第一液位时，所述夹持机构以第一速度沿竖直方向移动所述硅片脱离所述支架，所述第一速度与所述处理液下降至所述第一液位之前，所述处理液的液位的下降速度相同。

其中，所述控制机构，用于当所述夹持机构夹持并移动所述硅片脱离所述支架后，控制所述夹持机构停止移动且控制所述排放结构开始排放处理液；当所述硅片完全露出处理液时控制所述排放结构停止排放处理液。

第二方面，根据本发明实施例的硅片的处理方法，包括以下步骤：

将硅片置于槽体内的支架上并浸没于槽体内的处理液中；