[发明专利]触控阵列基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910768751.0 申请日: 2019-08-20
公开(公告)号: CN110620118B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 颜源;许勇;艾飞;宋德伟 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84;G03F1/32;G03F1/80;G06F3/041
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种触控阵列基板,其包括基板和设置在基板上的缓冲层,其特征在于,所述触控阵列基板包括:

有源层,设置在所述缓冲层上,所述有源层包括对应于薄膜晶体管的源极的第一区域和对应于所述薄膜晶体管的漏极的第二区域;

绝缘层,设置在所述有源层上并覆盖所述有源层和所述缓冲层;

像素电极层,设置在所述绝缘层上,所述像素电极层包括像素电极和与所述像素电极同层设置的多个基层;

金属层,对应的叠设在所述像素电极层的多个基层上,所述金属层包括触控信号线、数据线、栅极和栅线,所述栅极与所述栅线相连且一体形成;

平坦层,设置在所述金属层上并覆盖所述金属层、像素电极和绝缘层;以及

公共电极层,设置在所述平坦层上,所述公共电极层包括触控电极、所述源极和所述漏极,所述触控电极与所述触控信号线相连,所述源极的一端与所述第一区域相连,所述源极的另一端与所述数据线相连,所述漏极的一端与所述第二区域相连,所述漏极的另一端与所述像素电极相连。

2.根据权利要求1所述的触控阵列基板,其特征在于,所述栅线的延伸方向垂直于所述数据线的延伸方向,所述栅线与所述数据线相隔设置;

其中,所述公共电极层还包括多条连接线,每行的所述栅线通过所述连接线相连接。

3.根据权利要求1所述的触控阵列基板,其特征在于,所述多个基层包括第一基层、第二基层和第三基层,所述第一基层的延长方向与所述触控信号线的延伸方向一致,所述第二基层的延伸方向与所述数据线的延伸方向一致,所述第三基层的延伸方向与所述栅线的延伸方向一致;

所述触控信号线叠设在所述第一基层上,所述数据线叠设在所述第二基层上,所述栅线叠设在所述第三基层上。

4.一种触控阵列基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

提供一基板;

在所述基板上依次形成缓冲层、有源层和绝缘层,所述有源层包括对应于薄膜晶体管的源极的第一区域和对应于所述薄膜晶体管的漏极的第二区域;

在所述绝缘层上依次形成像素电极层和金属层,并采用一光罩对所述像素电极层和金属层进行图案化处理,形成像素电极、触控信号线、数据线和栅极;

在所述金属层上形成平坦层;

在所述平坦层上形成图案化的公共电极层,以形成触控电极、所述源极和所述漏极,所述触控电极与所述触控信号线相连,所述源极的一端与所述第一区域相连,所述源极的另一端与所述数据线相连,所述漏极的一端与所述第二区域相连,所述漏极的另一端与所述像素电极相连。

5.根据权利要求4所述的触控阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述绝缘层上依次形成像素电极层和金属层,并采用一光罩对所述像素电极层和金属层进行图案化处理,形成像素电极、触控信号线、数据线和栅极,包括:

依次在所述绝缘层上形成像素电极层、金属层和第一光阻层;

采用第一半色调光罩对所述第一光阻层进行曝光,随后对所述第一光阻层进行显影,形成图案化的第一光阻层;图案化的第一光阻层包括对应于所述金属层中待形成栅极、数据线和触控信号线的第一部分、对应于所述像素电极层中待形成像素电极的第二部分、以及对应于所述有源层的第一区域和第二区域的第一通孔,所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度;

以图案化的第一光阻层为掩模,刻蚀所述金属层和像素电极层形成所述栅极、所述数据线和所述触控信号线;

通过所述第一通孔对所述有源层的第一区域和所述第二区域进行重掺杂处理;

灰化图案化的第一光阻层,使所述第一部分薄化和所述第二部分消失;

刻蚀去除裸露的金属层,使所述像素电极层形成像素电极;

去除剩余的第一光阻层;

对所述有源层进行轻掺杂处理。

6.根据权利要求5所述的触控阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一半色调光罩包括第一透光部和第二透光部,所述第一透光部的透光率大于所述第二透光部的透光率,所述第一透光部的透光率为100%,所述第一透光部对应待形成的第一通孔,所述第二透光部对应于所述像素电极层中待形成的像素电极。

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