[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 201910767968.X | 申请日: | 2019-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN110854157A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
| 发明(设计)人: | 马伟欣;陈彩琴 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本申请涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置,该显示面板包括:基板;位于基板上的第一金属层,第一金属层包括沿预设方向延伸的第一电源线;位于基板上且覆盖第一金属层的层间介质层,层间介质层上开设有导通孔;位于层间介质层上的第二金属层,第二金属层包括沿预设方向延伸的第二电源线,第二电源线位于第一电源线的上方,且通过导通孔与第一电源线电连接。通过这种方式,将像素驱动电路中的电源线设计为双层结构,能够减小电源线的阻抗,进而减小电源线的欧姆压降,提高显示面板的显示均一性。
【技术领域】
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制作方 法、显示装置。
【背景技术】
有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode,简称AMOLED)面板因其高对比度、广色域、低 功耗、可折叠等特性,逐渐成为新一代显示技术。
但是,在AMOLED面板中,当像素驱动电路驱动像素单元发光 时,由于电源线(VDDline)上的欧姆压降,使得AMOLED面板距离 驱动芯片(IC)较近和较远处的亮度不一致,进而影响面板的显示均 一性。
【发明内容】
本申请的目的在于提供一种显示面板及其制作方法、显示装置, 以减小电源线的阻抗,进而减小电源线的欧姆压降对面板显示均一性 的影响。
为了解决上述问题,本申请实施例提供了一种显示面板,该显示 面板包括:基板;位于基板上的第一金属层,第一金属层包括沿预设 方向延伸的第一电源线;位于基板上且覆盖第一金属层的层间介质 层,层间介质层上开设有导通孔;位于层间介质层上的第二金属层, 第二金属层包括沿预设方向延伸的第二电源线,第二电源线位于第一 电源线的上方,且通过导通孔与第一电源线电连接。
其中,第一金属层还包括与第一电源线交叉设置的第三电源线, 第三电源线通过导通孔与第二电源线电连接。
其中,第二金属层还包括与第二电源线交叉设置的第四电源线, 第四电源线通过导通孔与第一电源线电连接。
其中,第一金属层还包括与第一电源线交叉设置的第五电源线, 第五电源线位于第四电源线的下方,且通过导通孔与第四电源线电连 接。
其中,第一电源线和第五电源线构成第一电源线组,第二电源线 和第四电源线构成第二电源线组,第一电源线组和第二电源线组的形 状均为网状。
其中,显示面板还包括依次远离基板的第三金属层和绝缘层,且 第三金属层和绝缘层位于基板与第一金属层之间,其中,第三金属层 包括第一电极,第一金属层还包括第二电极,第二电极和第一电极构 成存储电容。
其中,显示面板还包括位于基板上的薄膜晶体管,薄膜晶体管包 括栅极、源极和漏极,栅极位于第三金属层,源极和漏极位于第二金 属层。
为了解决上述问题,本申请实施例还提供了一种显示面板的制作 方法,该显示面板的制作方法包括:提供基板;在基板上形成第一金 属层,第一金属层包括沿预设方向延伸的第一电源线;在形成有第一 金属层的基板上形成层间介质层,并在层间介质层上制作导通孔;在 层间介质层上形成第二金属层,第二金属层包括沿预设方向延伸的第 二电源线,第二电源线位于第一电源线的上方,且通过导通孔与第一 电源线电连接。
其中,第一金属层还包括与第一电源线交叉设置的第三电源线, 在基板上形成第一金属层的步骤,具体包括:在基板上铺设金属材料 层;对金属材料层进行刻蚀,以得到图案化的第一金属层,第一金属 层包括交叉设置的第一电源线和第三电源线。
为了解决上述问题,本申请实施例还提供了一种显示装置,该显 示装置包括上述任一项的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





