[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201910763909.5 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110429061B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 钱海蛟;姜涛;高锦成;陈亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G03F7/16 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开一种显示基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,为解决通过一次构图工艺同时形成层叠设置的两层功能图形时,无法实现上层功能图形和下层功能图形精确的尺寸对应关系,导致对显示基板的工作性能产生影响的问题。所述制作方法包括:在基底上依次形成层叠设置的第一过渡功能图形、第二过渡功能图形和光刻胶图形,光刻胶图形覆盖第二过渡功能图形的边缘区域;对光刻胶图形进行烘烤,使部分光刻胶图形覆盖第二过渡功能图形的侧表面;以烘烤后的光刻胶图形为掩膜,对第二过渡功能图形进行湿法刻蚀,形成第二目标功能图形,并对第一过渡功能图形进行刻蚀,形成第一目标功能图形。本发明提供的制作方法用于制作显示基板。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
目前,为了节省显示基板的制作工艺流程,一般会将显示基板中层叠设置的功能图形,在一次构图工艺中形成。在利用这种方式形成层叠设置的两层功能图形时,一般先以光刻胶图形为掩膜,刻蚀形成位于上层的上层功能图形,然后再继续以光刻胶图形为掩膜刻蚀形成位于下层的下层功能图形。
但是当以湿法刻蚀形成上层功能图形时,由于受到湿法刻蚀工艺自身的限制,所形成的上层功能图形在与光刻胶图形的边缘处对应的部分,会被刻蚀掉,而在继续采用干法刻蚀形成下层功能图形时,下层功能图形与光刻胶图形的边缘处对应的部分则会保留,从而使得下层功能图形与光刻胶图形边缘对应的部分,在平行于显示基板的基底的方向上,会超出上层功能图形与光刻胶图形边缘对应的部分较多,从而无法实现上层功能图形和下层功能图形精确的尺寸对应关系,导致对显示基板的工作性能产生影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,用于解决通过一次构图工艺同时形成层叠设置的两层功能图形时,无法实现上层功能图形和下层功能图形精确的尺寸对应关系,导致对显示基板的工作性能产生影响的问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种显示基板的制作方法,包括:
在基底上依次形成层叠设置的第一过渡功能图形、第二过渡功能图形和光刻胶图形,所述光刻胶图形覆盖所述第二过渡功能图形的边缘区域;
对所述光刻胶图形进行烘烤,使部分所述光刻胶图形流动至所述第二过渡功能图形的侧面,并覆盖所述第二过渡功能图形的侧表面;
以烘烤后的光刻胶图形为掩膜,对所述第二过渡功能图形进行湿法刻蚀,形成第二目标功能图形,并对所述第一过渡功能图形进行刻蚀,形成第一目标功能图形。
可选的,形成所述第一过渡功能图形、所述第二过渡功能图形和所述光刻胶图形的步骤具体包括:
在所述基底上依次沉积形成层叠设置的第一功能材料层、第二功能材料层和光刻胶层;
对所述光刻胶层进行曝光,形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域;其中所述光刻胶完全保留区域和所述光刻胶半保留区域与所述第一过渡功能图形和所述第二过渡功能图形所在区域对应,所述光刻胶完全去除区域与除所述第一过渡功能图形和所述第二过渡功能图形所在区域之外的其它区域对应;
将位于所述光刻胶半保留区域的光刻胶层部分去除,并将位于所述光刻胶完全去除区域的光刻胶层完全去除,形成所述光刻胶过渡图形;
以所述光刻胶过渡图形为掩膜,对所述第二功能材料层进行刻蚀,形成所述第二过渡功能图形,并对所述第一功能材料层进行刻蚀,形成所述第一过渡功能图形;
对所述光刻胶过渡图形进行灰化工艺,将位于所述光刻胶半保留区域的光刻胶层完全去除,并将位于所述光刻胶完全保留区域的光刻胶层减薄,形成所述光刻胶图形。
可选的,形成所述第一功能材料层的步骤具体包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造