[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：衬底上的沟道层，沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕沟道层的栅电极，栅电极具有在第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的第一侧上并且与沟道层接触的源/漏层，源/漏层的一部分在第一方向上相对于栅电极的第一端部伸出，其中从栅电极的第一端部到沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到沟道层的第二侧表面的第二距离。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月27日在韩国知识产权局提交的题为“半导体器件”的韩国专利申请No.10-2018-0100509的优先权，其整体内容通过引用一并于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种具有竖直堆叠的多个沟道层的半导体器件。

背景技术

已经提出了全环栅晶体管，作为实现缩小技术的一种元器件以增加半导体器件的密度。全环栅晶体管可以包括衬底上呈纳米线或纳米片形式的多个有源图案和覆盖有源图案表面的栅电极。

发明内容

根据示例实施例，一种半导体器件可以包括：堆叠在衬底上的多个沟道层，该多个沟道层彼此间隔开并且具有在一个方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕该多个沟道层的栅电极，栅电极具有在所述一个方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及在栅电极的一侧、与该多个沟道层接触的源/漏层。源/漏层的一部分在所述一个方向上相对于栅电极的第一端部伸出。在所述一个方向上，从栅电极的第一端部到该多个沟道层的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到该多个沟道层的第二侧表面的第二距离。

根据示例实施例，一种半导体器件可以包括：衬底上的栅电极，栅电极具有第一端部和第二端部，第二端部在一个方向上与第一端部相对；衬底上彼此间隔开的多个纳米片，该多个纳米片穿透栅电极并且具有第一侧表面和第二侧表面，第二侧表面在所述一个方向上与第一侧表面相对；在栅电极的一侧、与该多个纳米片接触的源/漏层；以及与栅电极的第一端部相邻的栅隔离部分。源/漏层的一部分在所述一个方向上相对于栅电极的第一端部伸出，并且栅隔离部分的一部分和源/漏层的一部分彼此水平地重叠。在所述一个方向上，从栅电极的第一端部到该多个纳米片的第一侧表面的第一距离短于从栅电极的第二端部到该多个纳米片的第二侧表面的第二距离。

根据示例实施例，一种半导体器件可以包括：在第一方向上延伸的第一有源区；堆叠在第一有源区上彼此间隔开的多个第一沟道层，该多个第一沟道层具有在垂直于第一方向的第二方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；围绕该多个第一沟道层的第一栅电极，第一栅电极具有第一端部和第二端部，第二端部在第二方向上与第一端部相对；在栅电极的一侧、与该多个第一沟道层接触的第一源/漏层；在第一方向上延伸的第二有源区；第二有源区上彼此间隔开的多个第二沟道层，该多个第二沟道层具有在第二方向上彼此相对的第三侧表面和第四侧表面；围绕该多个第二沟道层的第二栅电极，第二栅电极具有第三端部和第四端部，第四端部在第二方向上与第三端部相对；以及在第二栅电极的一侧、与该多个第二沟道层接触的第二源/漏层。第一源/漏层的至少一部分在第二方向上相对于第一栅电极的第一端部伸出，并且第二源/漏层的至少一部分在第二方向上相对于第二栅电极的第三端部伸出。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，附图中：

图1示出了根据示例实施例的半导体器件的布局；

图2至图4示出了根据示例实施例的半导体器件的截面图；

图5至图10示出了根据示例实施例的半导体器件的截面图；

图11示出了根据示例实施例的半导体器件的布局；

图12和图13示出了根据示例实施例的半导体器件的截面图；