[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

堆叠在衬底上的多个沟道层，所述多个沟道层彼此间隔开，并且具有在第一方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；

围绕所述多个沟道层的栅电极，所述栅电极具有在所述第一方向上彼此相对的第一端部和第二端部；以及

在所述栅电极的第一侧上并且与所述多个沟道层接触的源/漏层，所述源/漏层的一部分在所述第一方向上相对于所述栅电极的所述第一端部伸出，

其中在所述第一方向上从所述栅电极的所述第一端部到所述多个沟道层的所述第一侧表面的第一距离短于在所述第一方向上从所述栅电极的所述第二端部到所述多个沟道层的所述第二侧表面的第二距离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一距离小于所述多个沟道层中每个沟道层在所述第一方向上的宽度的一半。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极的所述第一端部覆盖所述多个沟道层的所述第一侧表面，并且所述第一距离为3纳米或更小。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个沟道层的所述第一侧表面与所述栅电极的所述第一端部对准。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括与所述栅电极的所述第一端部相邻的栅隔离部分，所述栅隔离部分与所述源/漏层的一部分水平地重叠。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个沟道层的所述第一侧表面相对于所述栅电极的所述第一端部伸出。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中相对于所述栅电极的所述第一端部伸出的所述第一侧表面具有弯曲表面。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括与所述栅电极的所述第一端部相邻的栅隔离部分，所述栅隔离部分围绕所述多个沟道层的所述第一侧表面。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述栅电极包括下电极部分和所述下电极部分上的上电极部分，所述上电极部分延伸少于所述下电极部分，并且

所述上电极部分覆盖所述多个沟道层中的最上沟道层的一部分，并且所述下电极部分覆盖所述多个沟道层中不同于所述最上沟道层的所述部分的部分。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述最上沟道层的所述第一侧表面相对于所述栅电极的所述上电极部分伸出，所述最上沟道层的所述第一侧表面的下部区域被所述下电极部分覆盖。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：

与所述第一端部相邻的栅隔离部分；

其中所述栅隔离部分包括下层和所述下层上的上层；以及

在所述第一方向上所述上层的长度大于所述下层的长度，并且所述栅隔离部分的所述上层与所述最上沟道层的所述第一侧表面接触。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个沟道层的所述第一侧表面是平面并且相对于所述栅电极的所述第一端部伸出。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括与所述第一端部相邻的栅隔离部分，所述栅隔离部分与所述第一侧表面接触。