[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板，所述制备方法包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上制备介电层；在所述介电层上制备ZTO/SnOsubgt;2/subgt;双沟道层，其中，制备ZTO/SnOsubgt;2/subgt;双沟道层的具体包括：在所述介电层上制备SnOsubgt;2/subgt;薄膜；在所述SnOsubgt;2/subgt;薄膜上制备ZTO薄膜；在所述ZTO/SnOsubgt;2/subgt;双沟道层上制备源电极和漏电极。本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板，解决了传统金属氧化物薄膜晶体管制备成本昂贵，工艺复杂，难以工业化生产或者可靠性差的难题。

技术领域

本发明属于半导体薄膜晶体管制备领域，具体地涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

随着人们对显示设备视觉体验要求的不断提高，显示设备向着更高分辨率、更大显示尺寸、更高对比度、更加轻薄及柔性可弯曲方向发展。从最初的阴极射线显像管(Cathode Ray Tube，CRT)显示技术到后来以液晶显示器(liquid crystal display，LCD)为代表的平板显示技术，再到现在以有源矩阵有机自发光二极体(Active-matrix organiclight emitting diode，AMOLED)为代表的柔性平板显示技术，显示技术得到了飞速的发展。以现代显示技术为支撑的智能设备如智能手机、智能电视、车载显示器，虚拟现实(Virtual reality，VR)等也得到了迅猛发展。同时对于作为平板显示技术的关键开关组件薄膜场效应管(Thin Film Transistor，TFT)的研究也逐渐深入，从最开始研发出的应用于平板显示技术的氢化非晶硅(amorphous silicon:H，a-Si:H)TFT，到后来研发出的可以用于支持生产高分辨率平板显示的低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)TFT，再到现在开发出的用于支持柔性大面积显示的金属氧化物TFT。可以说TFT的发展与平板显示技术的发展相辅相成，相互促进，共同进步。

但是现在平板技术高的造价成本以及繁杂的制备工序仍然是需要解决的问题，开发出可低成本大面积生产的高性能TFT制备技术成为现实之需，

发明内容

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板，以解决解决了传统金属氧化物薄膜晶体管制备成本昂贵，工艺复杂，难以工业化生产或者可靠性差的难题。

为了达到上述发明目的，本发明采用了如下的技术方案：

在一个总体方面，本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上制备介电层；

在所述介电层上制备ZTO/SnO₂双沟道层，其中，制备所述ZTO/SnO₂双沟道层具体包括：

在所述介电层上制备SnO₂薄膜；

在所述SnO₂薄膜上制备ZTO薄膜；

在所述ZTO/SnO₂双沟道层上制备源电极和漏电极。

优选地，在所述介电层上制备SnO₂薄膜具体包括：

SnO₂前驱体溶液的制备：先将SnCl₂溶于溶剂中，获得金属盐溶液，再将HClO₄与所述金属盐溶液中的Cl^-按照：Cl^-：HClO₄＝7：1的比例加入所述金属盐溶液中，并进一步在室温下磁力搅拌1～24小时形成澄清透明的浓度为0.01～0.15mol/L的SnO₂前驱体溶液；