[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上制备介电层；

在所述介电层上制备ZTO/SnO₂双沟道层，其中，制备所述ZTO/SnO₂双沟道层具体包括：

在所述介电层上制备SnO₂薄膜；

在所述SnO₂薄膜上制备ZTO薄膜；

在所述ZTO/SnO₂双沟道层上制备源电极和漏电极；

其中，在所述介电层上制备SnO₂薄膜具体包括：

SnO₂前驱体溶液的制备：先将SnCl₂溶于溶剂中，获得金属盐溶液，再将HClO₄与所述金属盐溶液中的Cl^-按照：Cl^-：HClO₄=7：1的比例加入所述金属盐溶液中，并进一步在室温下磁力搅拌1~24小时形成澄清透明的浓度为0.01~0.15 mol/L的SnO₂前驱体溶液；

SnO₂薄膜的制备：采用溶胶凝胶技术将所述SnO₂前驱体溶液旋涂至所述介电层上，形成所述SnO₂薄膜；

其中，在所述SnO₂薄膜上制备ZTO薄膜具体包括：

ZTO前驱体溶液的制备：将SnCl₂和ZnCl₂按不同的摩尔比混合并溶于溶剂中，获得金属盐溶液，其中，Zn/(Zn+Sn)=X/(X+Y) ，X+Y=1，Y≠1；再将HClO₄与所述金属盐溶液中的Cl^-按照：Cl^-：HClO₄=7：1的比例加入所述金属盐溶液中，并进一步在常温下磁力搅拌1~24小时形成澄清透明的0.15~0.5mol/L ZTO前驱体溶液；

ZTO薄膜的制备：采用溶胶凝胶技术将所述ZTO前驱体溶液旋涂至所述SnO₂薄膜上，形成所述ZTO薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用溶胶凝胶技术将所述SnO₂前驱体溶液旋涂至所述介电层上具体包括：

先在400~600转/分下匀胶4~8秒，再在5000~9000转/分下匀胶15~30秒，旋涂1~3次，每次旋涂厚度为5~10 nm；将旋涂后的薄膜放到烤胶台上在100~200℃条件下进行低温烘焙；UV光处理20~60分钟，再将其放在200~600℃温度下退火0~3小时，使薄膜得到初步分解，形成所述SnO₂薄膜。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用溶胶凝胶技术将所述ZTO前驱体溶液旋涂至所述SnO₂薄膜上具体包括：

先在400~600转/分下匀胶4~8秒，再在2000~6000转/分下匀胶15~30秒，旋涂1~3次，每次旋涂厚度为10~15 nm；将旋涂后的薄膜放到烤胶台上在100~200℃条件下进行低温烘焙；UV光处理20~60分钟后，再将其放在200~600℃温度下退火1~3小时，形成所述ZTO薄膜。

4.根据权利要求1~3任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底上制备介电层具体包括：

ZrO_x前驱体溶液的制备：将锆盐溶于溶剂中，在室温下磁力搅拌1~24小时形成澄清透明的浓度为0.01~0.5 mol/L的ZrO_x前驱体溶液；

ZrO_x薄膜的制备：采用等离子体清洗方法清洗衬底表面，在清洗后的所述衬底上采用旋涂技术分别旋涂制备的ZrO_x前驱体溶液，先在400~600转/分下匀胶4~8秒，再在3000~6000转/分下匀胶15~30秒，旋涂次数为1~3次，每次旋涂厚度5~10 nm；将旋涂后的薄膜放到烤胶台上在100~200℃条件下进行低温烘焙；UV光处理40~60分钟后，再将其放在200~600℃温度下退火1~3小时，实现脱羟基作用及金属氧化物致密化的过程，得到ZrO_x薄膜。