[发明专利]一种挡板上钼及其氧化物的清洗工艺有效
| 申请号: | 201910721777.X | 申请日: | 2019-08-06 |
| 公开(公告)号: | CN110571134B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
| 发明(设计)人: | 万长明;罗雪春;王宏宇;王照忠;万其凯;胡家铭 | 申请(专利权)人: | 成都拓维高科光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 李英 |
| 地址: | 610000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 挡板 及其 氧化物 清洗 工艺 | ||
本发明公开了一种挡板表面钼及其氧化物的清洗工艺,包括如下步骤:使用H2O2溶液对挡板表面沉积膜进行浸泡清洗;使用碱性药液对挡板表面钼及其氧化物进行浸泡;使用高压水对挡板进行冲洗;对挡板表面喷砂处理;使用高压水对挡板进行冲洗;对挡板进行干冰清洗;对挡板进行超声波清洗;对完成清洗后的部件进行干燥,该工艺解决了现有技术存在的酸液对部件本体造成较大损伤、危险性大的问题,可以有效去除挡板表面的钼及其氧化物,且不会对挡板造成损伤。
技术领域
本发明涉及表面处理领域,具体涉及一种挡板上钼及其氧化物的清洗工艺。
背景技术
在LCD、OLED显示屏TFT制作过程中,为降低外围导引线的阻抗或为了便于模组段的FPC键合,在TFT薄膜中溅射一种金属钼Mo或其氧化物MoOx,在溅射过程中这种材料会不断地在腔体内的挡板上进行沉积,随着沉积物厚度的增加,沉积膜与挡板的附着力会降低,沉积膜可能会脱落污染腔体,出现黑点、短路等缺陷,影响LCD、OLED显示屏的显示质量,所以需要对腔体内裸露于工艺环境中的部件进行精密再生,延长部件的使用寿命,确保制程环境满足显示屏制程工艺要求,提升产品质量,降低客户端制程成本。
针对钼Mo及其氧化物(MoOx)的沉积膜通常的清洗方法是使用HNO3/H2SO4/HF等酸液或混合酸进行浸泡清洗,后对表面喷砂处理,再使用去离子水进行清洗,最后进入洁净干燥箱进行干燥。该清洗过程中使用的酸液易挥发,危险性较大,尤其HF具有腐蚀性,对清洗设备及槽体、废气处理等辅助设施人员防护要求较高,且清洗时间较长,酸液容易对部件本体造成较大损伤,且后续表面处理后,用于表面处理的砂粒不易完全清洗干净,会造成部件表面粒子超标,影响部件使用性能。
发明内容
本发明解决了现有技术存在的酸液对部件本体造成较大损伤、危险性大的问题,提供一种挡板上钼及其氧化物的清洗工艺,其应用时可以有效去除附着于金属钛、塑料、陶瓷部件表面的钼Mo及其氧化物MoOx薄膜,避免对部件本体造成较大损伤。
本发明通过下述技术方案实现:
一种挡板表面钼及其氧化物的清洗工艺,包括如下步骤:
S1:使用H2O2溶液对挡板表面沉积膜进行浸泡清洗;
S2:使用碱性药液对挡板表面钼及其氧化物进行浸泡;
S3:使用高压水对挡板进行冲洗;
S4:对挡板进行干燥后,对表面喷砂处理;
S5:使用高压水对挡板进行冲洗;
S6:对挡板进行干冰清洗;
S7:对挡板进行超声波清洗;
S8:对完成清洗后的部件进行干燥。
优选的,所述H2O2溶液的质量分数为20-40%,所述挡板的浸泡时间为2~3h,然后使用纯水对药液浸泡完成的产品进行清洗,该步骤在清洗槽完成。钼Mo及其氧化物MoOx与双氧水反应生产高钼酸,其化学反应过程如下:
H2O2+Mo→H2MoOX+O2↑
因H2O2不会与塑料、陶瓷反应,与金属反应时在表面形成一层很薄、很致密的氧化膜,阻止其进一步反应,所以H2O2基本不会对基材(金属、塑料、陶瓷等)的部件造成腐蚀。
使用碱性药液对挡板表面钼及其氧化物进行清洗,该步骤在碱液槽进行;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





