[发明专利]一种挡板上钼及其氧化物的清洗工艺有效
| 申请号： | 201910721777.X | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110571134B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 万长明;罗雪春;王宏宇;王照忠;万其凯;胡家铭 | 申请（专利权）人： | 成都拓维高科光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 挡板 及其 氧化物 清洗 工艺 | ||
1.一种挡板表面钼及其氧化物的清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S1：使用H2O2溶液对挡板表面沉积膜进行浸泡清洗，所述H2O2溶液的质量分数为20-40％，所述挡板的浸泡时间为2～3h；
S2：使用碱性药液对挡板表面钼及其氧化物进行浸泡，所述碱性药液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液；
S3：使用高压水对挡板进行冲洗；
S4：对挡板进行干燥后，对表面喷砂处理；
S5：使用高压水对挡板进行冲洗；
S6：对挡板进行干冰清洗；
S7：对挡板进行超声波清洗；
S8：对完成清洗后的部件进行干燥。
2.根据权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于，S2中所述氢氧化钠溶液的浓度为NaOH(g)：H2O(mL)为1：6-1:10，所述氢氧化钾溶液的浓度为KOH(g)：H2O(mL)为1：6-1:10，浸泡温度50-60℃，浸泡时间1-3h。
3.根据权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于，所述S3和S5中高压水的压力16-18Mpa。
4.根据权利要求2所述的清洗工艺，其特征在于，所述S4中干燥温度为180-200℃，干燥时间为1-2小时，表面喷砂处理材料为粒径为30～400目的白刚玉Al2O3。
5.根据权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于，所述干冰清洗步骤为通过压缩空气将干冰喷射到挡板表面。
6.根据权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于，干燥温度为180-200℃，干燥时间为1-2小时。
7.权利要求1-6任一项所述的清洗工艺在清洗金属、塑料、陶瓷部件表面钼Mo及其氧化物MoOx薄膜的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
