[发明专利]用于半导体装置转印的方法有效

专利信息
申请号: 201910706964.0 申请日: 2016-03-18
公开(公告)号: CN110544666B 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 安德鲁·胡斯卡;科迪·彼得森;克林特·亚当斯;肖恩·库普考 申请(专利权)人: 罗茵尼公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/60;H01L23/544
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 赵楠
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 装置 方法
【说明书】:

本发明公开了一种将半导体装置转印到产品衬底的方法,所述方法包括将所述产品衬底的表面定位成面向在其上具有所述半导体装置的半导体晶片的第一表面;以及致动转印机构以致使所述转印机构啮合所述半导体晶片的第二表面。所述半导体晶片的所述第二表面与所述半导体晶片的所述第一表面相对。致动所述转印机构包括致使销推抵于所述半导体晶片的所述第二表面上的一个位置,所述位置对应于位于所述半导体晶片的所述第一表面上的特定半导体装置的位置;以及将所述销缩回到静止位置。所述方法还包括从所述半导体晶片的所述第二表面拆离所述特定半导体装置;以及将特定半导体装置附接到所述产品衬底。

本申请是分案申请,其原申请的国际申请号为PCT/US2016/023280,国际申请日是2016年3月18日,中国国家申请号为201680016956.8,进入中国的日期为2017年9月20日,发明名称为“用于半导体装置转印的方法”。

相关申请的交叉引用

本申请是2015年11月12日提交的标题为“Method and Apparatus for Transferof Semiconductor Devices”的美国专利申请号14/939,896的继续案并要求该专利申请的优先权,并且要求美国临时专利申请号62/146,956的优先权,并要求美国临时专利申请号62/136,434的优先权,所述专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。

背景技术

半导体装置是利用诸如硅、锗、砷化镓等半导体材料的电子部件。半导体装置通常制造为单个分立装置或集成电路(IC)。单个分立装置的示例包括诸如发光二极管(LED)、二极管、晶体管、电阻器、电容器、保险丝等可电致动元件。

半导体装置的制造通常涉及具有大量步骤的错综复杂的制造工艺。制造的最终产品是“封装的”半导体装置。“封装的”修改器是指内置在最终产品中的包封体和保护特征以及使封装中的装置能够并入最终电路中的接口。

用于半导体装置的常规制造工艺从处理半导体晶片开始。将晶片切割成许多“未封装的”半导体装置。“未封装的”修改器是指没有保护特征的未包封的半导体装置。本文中,未封装的半导体装置可以被称为半导体装置裸片,或者为了简单起见只称为“裸片”。单个半导体晶片可以被切割以产生各种尺寸的裸片,以便由半导体晶片形成多于100,000或甚至1,000,000个裸片(取决于半导体的起始尺寸),并且每个裸片具有一定的质量。然后通过下文简要讨论的常规制造工艺“封装”未封装的裸片。晶片处理和封装之间的动作可以称为“裸片制备”。

在一些情况下,裸片制备可以包括通过“拾取和放置过程”对裸片进行分选,其中切割的裸片被单独地拾取并分选到料仓中。所述分选可以基于裸片的正向电压容量、裸片的平均功率和/或裸片的波长。

通常,封装涉及将裸片安装到塑料或陶瓷封装(例如,模具或包封体)中。封装还包括将裸片触点连接到引脚/电线,以与最终电路对接/互连。半导体装置的封装通常通过密封裸片来完成,以保护其免受环境(例如,灰尘、温度和/或湿度)的影响。

然后产品制造商将封装的半导体装置放置在产品电路中。由于封装,装置已准备好“插入”到正在制造的产品的电路组件中。另外,当装置的封装保护它们免受可能使装置降级或破坏装置的元件的影响时,封装的装置固有地比封装内部所见的裸片大(例如,在一些情况下,厚度的约10倍和面积的约10倍,导致体积的100倍)。因此,所得的电路组件不能比半导体装置的封装更薄。

附图说明

具体实施方式参照附图进行说明。在图中,参照标记的最左边的数字表示其中参照标记首次出现的图。在不同图中使用相同的参照标记指示相似或相同的物品。此外,附图可以被认为是提供各个图中各个部件的相对尺寸的大概描绘。然而,附图不是按比例绘制的,并且在各个图内以及不同图之间的各个部件的相对尺寸可以与所描绘的不同。特定地,一些图可以将部件描述为特定尺寸或形状,而为了清楚起见,其他图可以以更大的尺度或不同的形状来描绘相同的部件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗茵尼公司,未经罗茵尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910706964.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top