[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括初始衬底和位于初始衬底上的器件掩膜层以及伪掩膜层；在初始衬底上形成露出伪掩膜层的有机图形层，有机图形层的材料中含有碳和氧，且有机图形层中氧和碳的摩尔百分比的比值大于或等于1.25；以有机图形层为掩膜，去除露出的伪掩膜层；去除伪掩膜层后，去除有机图形层；去除有机图形层后，以器件掩膜层为掩膜层刻蚀初始衬底，形成衬底和位于衬底上的鳍部。本发明有机图形层中氧含量较高，使得有机图形层的硬度较高，因此在去除伪掩膜层的过程中，有机图形层的损伤较小，器件掩膜层不易受到误刻蚀，进而使得形成的鳍部的质量较高，有利于提高半导体结构的电学性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路的集成度不断提高，集成电路向亚微米、深亚微米方向快速发展，其图案线宽也将越来越细，这对半导体工艺提出了更高的要求。因此，对如何实现细线宽图案进行深入研究以适应半导体工艺的新要求已成为一个刻不容缓的课题。

光刻技术(Lithograph)是实现集成电路图案的关键工艺技术。在光刻技术中，将感光材料(光刻胶)涂覆于基底的薄膜上，采用与光刻胶感光特性相应的波段的光，透过具有特定图案的掩膜板照射至光刻胶表面，经显影后形成与掩膜板上的图案相对应的光刻胶图形。在集成电路的后续工艺中，以此光刻胶图形作为阻挡层对其下方的薄膜进行选择性刻蚀，便可以将掩膜板上的图案完整地转移到基底的薄膜上。

光刻工艺中的光刻胶，抗反射涂层以及有机材料对光刻技术的图形传递的精度有着巨大的影响。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体及其形成方法，提升器件的电学性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括器件区和隔离区，所述基底包括初始衬底和位于所述初始衬底上的衬底掩膜层，位于所述器件区上的所述衬底掩膜层为器件掩膜层，位于所述隔离区上的所述衬底掩膜层为伪掩膜层；在所述初始衬底上形成露出所述伪掩膜层的有机图形层，所述有机图形层的材料中含有碳和氧，且所述有机图形层中氧和碳的摩尔百分比的比值大于或等于1.25；以所述有机图形层为掩膜，去除露出的所述伪掩膜层；去除所述伪掩膜层后，去除所述有机图形层；去除所述有机图形层后，以所述器件掩膜层为掩膜层刻蚀所述初始衬底，形成衬底和位于所述衬底上的鳍部。

相应的，本发明实施例还提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底包括器件区和隔离区，所述基底包括初始衬底和位于所述初始衬底上的衬底掩膜层；位于所述器件区上的所述衬底掩膜层为器件掩膜层，位于所述隔离区上的所述衬底掩膜层为伪掩膜层；有机图形层，位于所述初始衬底上，所述有机图形层覆盖所述器件掩膜层且露出所述伪掩膜层，所述有机图形层的材料中含有碳和氧，且所述有机图形层中氧和碳的摩尔百分比的比值大于或等于1.25。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例所述有机图形层露出所述伪掩膜层，所述有机图形层中氧和碳的摩尔百分比的比值大于或等于1.25，与旋涂碳(spin on carbon，SOC)等材料相比，所述有机图形层中氧含量较高，使得所述有机图形层的硬度较高，因此在去除所述伪掩膜层的过程中，与采用旋涂碳材料的方案相比，所述有机图形层的被刻蚀速率更小，使得所述有机图形层的损伤较小，相应的，去除所述伪掩膜层后，所述有机图形层的侧壁粗糙度较小，从而不易露出所述器件掩膜层，进而使所述器件掩膜层不易受到误刻蚀，使得后续以所述器件掩膜层为掩膜刻蚀所述初始衬底形成的鳍部的质量较高，有利于提高半导体结构的电学性能。

附图说明

图1至图6是一种半导体结构的形成方法中各步骤对应的结构示意图；

图7至图15是本发明半导体结构的形成方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。