[发明专利]显示面板的制备方法、显示面板及显示装置在审
| 申请号: | 201910667191.X | 申请日: | 2019-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN110429114A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
| 发明(设计)人: | 向明 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示面板 制备 辅助电极 阴极 无机绝缘层 介电层 图案化 栅极绝缘层 显示装置 走线层 电容 源漏 维持辅助电极 电致发光层 栅极金属层 阴极电压 阳极 定义层 缓冲层 均匀性 平坦化 像素化 有机层 基板 | ||
本发明实施例公开了一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置,该显示面板的制备方法包括:在基板上依次形成缓冲层、源漏级、栅极绝缘层、栅极金属层和介电层;在所述显示面板的栅极绝缘层和介电层内部形成第一过孔,并在所述第一过孔内部及所述介电层上方形成源漏级走线层和辅助电极;在所述辅助电极上制备图案化无机绝缘层;在所述图案化无机绝缘层上依次制备平坦化有机层、阳极走线层、像素化定义层、电致发光层和阴极,所述阴极、图案化无机绝缘层与所述辅助电极形成电容。该方法制备的显示面板中阴极与辅助电极之间形成电容,通过维持辅助电极电压的稳定,进而维持显示面板阴极电压的稳定,提高了显示面板亮度的均匀性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)凭借自身的自发光特性,不像TFT LCD需要背光,因此可视度和亮度均高,其次是电压需求低且省电效率高,加上反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低等,已经成为21世纪最具前途的产品之一。
OLED显示面板中的Vss信号通过显示面板非显示区的源漏级走线层,传输到正面蒸镀的阴极层中,从而给显示区的像素阴极供电。但由于源漏级走线以及正面阴极压降的影响,导致在显示过程中,显示面板阴极电位分布不均,进而出现面板亮度不均匀的问题。
现有技术下,通过倒梯形的设计,可以使得阴极与辅助电极连接,进而提高阴极电位的均匀性。然而这种设计会使得无机封装层在倒梯形处出现断层,降低了封装薄膜阻隔水氧入侵的能力,同时,倒梯形需要使用负性光阻才能完成,增加了制程的复杂性以及生产成本。
发明内容
本发明针对现有技术下的显示面板制备方法制备得到的显示面板,显示面板显示不均,且降低了封装薄膜阻隔水氧入侵的能力,制程复杂且成本很高的问题,本发明实施例提供一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置。
为解决上述问题,第一方面,本申请提供一种显示面板的制备方法,所述方法包括:
在基板上依次形成缓冲层、源漏级、栅极绝缘层、栅极金属层和介电层;
在所述显示面板的栅极绝缘层和介电层内部形成第一过孔,并在所述第一过孔内部及所述介电层上方形成源漏级走线层和辅助电极;
在所述辅助电极上制备图案化无机绝缘层;
在所述图案化无机绝缘层上依次制备平坦化有机层、阳极走线层、像素化定义层、电致发光层和阴极,所述阴极、图案化无机绝缘层与所述辅助电极形成电容。
进一步的,所述在所述显示面板的栅极绝缘层和介电层内部上形成第一过孔,并在所述第一过孔内部及所述介电层上方形成源漏级走线层和辅助电极包括:
在所述栅极绝缘层内部和所述介电层内部通过刻蚀,形成所述第一过孔,所述第一过孔穿过所述栅极绝缘层和所述介电层;
在所述第一过孔内部及所述介电层上方沉积并蚀刻形成所述源漏级走线层;
在所述介电层上方除所述源漏级走线层外的其他区域形成所述辅助电极。
进一步的,所述在所述辅助电极上制备图案化无机绝缘层包括:
在所述辅助电极上方沉积并刻蚀形成所述图案化无机绝缘层,所述图案化无机绝缘层完全覆盖所述辅助电极。
进一步的,所述在所述图案化无机绝缘层上依次制备平坦化有机层、阳极走线层和像素化定义层包括:
在所述源漏级走线层上方除所述图案化无机绝缘层外的其他区域制备形成平坦化有机层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





