[发明专利]显示面板的制备方法、显示面板及显示装置在审
| 申请号: | 201910667191.X | 申请日: | 2019-07-23 |
| 公开(公告)号: | CN110429114A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
| 发明(设计)人: | 向明 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示面板 制备 辅助电极 阴极 无机绝缘层 介电层 图案化 栅极绝缘层 显示装置 走线层 电容 源漏 维持辅助电极 电致发光层 栅极金属层 阴极电压 阳极 定义层 缓冲层 均匀性 平坦化 像素化 有机层 基板 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
在基板上依次形成缓冲层、源漏级、栅极绝缘层、栅极金属层和介电层;
在所述显示面板的栅极绝缘层和介电层内部形成第一过孔,并在所述第一过孔内部及所述介电层上方形成源漏级走线层和辅助电极;
在所述辅助电极上制备图案化无机绝缘层;
在所述图案化无机绝缘层上依次制备平坦化有机层、阳极走线层、像素化定义层、电致发光层和阴极,所述阴极、图案化无机绝缘层与所述辅助电极形成电容。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述显示面板的栅极绝缘层和介电层内部上形成第一过孔,并在所述第一过孔内部及所述介电层上方形成源漏级走线层和辅助电极包括:
在所述栅极绝缘层内部和所述介电层内部通过刻蚀,形成所述第一过孔,所述第一过孔穿过所述栅极绝缘层和所述介电层;
在所述第一过孔内部及所述介电层上方沉积并蚀刻形成所述源漏级走线层;
在所述介电层上方除所述源漏级走线层外的其他区域形成所述辅助电极。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述辅助电极上制备图案化无机绝缘层包括:
在所述辅助电极上方沉积并刻蚀形成所述图案化无机绝缘层,所述图案化无机绝缘层完全覆盖所述辅助电极。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述图案化无机绝缘层上依次制备平坦化有机层、阳极走线层、像素化定义层、电致发光层和阴极,包括:
在所述源漏级走线层上方除所述图案化无机绝缘层外的其他区域制备形成平坦化有机层;
在所述平坦化有机层内设置第二过孔,同时在所述平坦化有机层上方和所述第二过孔内沉积并蚀刻形成阳极走线层,所述阳极走线层通过所述第二过孔与所述源漏级走线层连接;
在所述阳极走线层上制备像素定义层,使得所述阳极走线层的部分区域和所述图案化无机绝缘层露出;
在所述像素定义层上制备电致发光层和阴极。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述像素定义层上制备电致发光层和阴极包括:
在所述阳极走线层露出的部分区域上方制备电致发光层;
在所述像素定义层上制备阴极,所述阴极覆盖所述像素定义层、所述电致发光层和所述图案化无机绝缘层,阴极、图案化无机绝缘层与所述辅助电极形成电容。
6.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括基板以及制备于所述基板之上的缓冲层、源漏极、栅极绝缘层和栅极金属层,所述显示面板还包括:
介电层,制备于所述栅极绝缘层之上覆盖所述栅极金属层,所述介电层内部刻蚀有第一过孔;
源漏走线层,形成于所述第一过孔内及所述介电层上方;
辅助电极,所述辅助电极形成于所述介电层的部分区域上方;
图案化无极绝缘层,制备于所述辅助电极上方;
以及制备于所述介电层之上的平坦化有机层,阳极走线层、像素定义层、电致发光层和阴极,所述阴极、图案化无极绝缘层与所述辅助电极形成电容。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述图案化无机绝缘层的大小大于或等于所述辅助电极的大小。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述图案化无机绝缘层完全覆盖所述辅助电极。
9.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述辅助电极的面积与目标压降满足如下公式:
D=A*S;
其中,D为所述显示面板中的压降,S为所述辅助电极的面积,A为预设的固定值。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求6至9任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





